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公开(公告)号：CN111999984A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910448289.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。
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公开(公告)号：CN113269842B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010096447.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种图形光栅化方法、装置及存储介质，属于图像处理技术领域，该方法包括：获取待光栅化目标；确定待光栅化目标中重复个数大于或等于预设个数的目标图形；对目标图形进行光栅化处理得到光栅化图形；对待光栅化目标进行裁切得到多个裁切区域；对于每个裁切区域，在裁切区域包括目标图形时读取目标图形对应的光栅化图形；可以解决对重复的目标图形均进行一次光栅化会浪费电子设备的资源，降低图形光栅化效率的问题；解决同一文件中相同图形一致性问题，使得线宽一致性得到了保证。由于对于重复的目标图形只需要进行一次光栅化过程，后续只需要调用光栅化图形即可，因此可以提高光栅化效率，节省设备资源。
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公开(公告)号：CN118466137A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410779688.1
申请日：2024-06-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 江苏维格新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及光刻印刷领域，特别涉及一种微纳结构的制备方法，以及制备得到的压印模板和压印得到的防伪制品。通过待制备的微纳结构的前景图案和背景图案获得直写图文和光栅图文，直写图文中包括多个直写光刻单元。将光栅图文中的像素点分别映射至直写图文，将识别出坐标相同的重合像素点。删除光栅图文中于重合像素点对应的像素点得到调整图文。利用调整图文进行干涉光刻，利用直写图文进行直写光刻，得到微纳结构。通过像素点映射的方式，形成可精准对位的文件进行光刻，节约工序，提高效率及成品率，且光刻后的结构没有重合叠加部分，具有更好的光学效果，实现了高分辨率大幅面的微米级光刻结构和纳米级光刻结构的复合。
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公开(公告)号：CN118131476A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410565419.5
申请日：2024-05-09
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 南京大学 , 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种空间光场成像器件及其制备方法。该空间光场成像器件包括：基材；单层微纳结构，设置于基材的一侧，单层微纳结构包括具有目标相位分布图的成像结构；其中，目标相位分布图被配置为由目标光场经初始成像结构形成目标中间像后，目标中间像逆向传播至透过初始成像结构时于初始成像结构的表面形成的相位分布图与初始成像结构的相位分布图相与或相切形成。上述空间光场成像器件有利于实现“消色差”的空间光场成像，保证成像的清晰度，并且不仅可实现近距离三维空间成像效果，也可以实现远距离空间投影成像效果。
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公开(公告)号：CN115497402A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211138997.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种立体光影彩色装饰纹理。包括自上而下依次设置的基层、第一胶层、第一复合层；第一复合层包括第一薄膜层和第一微结构层；第一微结构层上包括第一精密微结构主体层、第一镀膜层和第一油墨层，第一镀膜层为仿精密微结构主体层表面形状的共形结构，油墨填充于第一镀膜层的凹槽内；或第一复合层包括第一薄膜层、第一微结构层和第一镀膜层，第一微结构层上设置有精密微结构，其包括复数个微纳子结构，微纳子结构上设置有凹槽，凹槽内填充有油墨；第一薄膜层通过第一胶层固定设置于基层上。本发明装饰纹理使用微纳光刻技术转印微纳纹理于基材上，通过在基材上设置精密微结构，呈现立体，光影，彩色的效果；且能具备纹理的炫光效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639326B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210548852.9
申请日：2022-05-20
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G09F19/12
Abstract: 本发明公开一种呈现立体浮雕图像的精密微结构及其制备方法与应用。本发明提供的精密微结构包括：复数个微纳子结构，复数个所述微纳子结构的周期按预设规律排布，用于呈现立体浮雕效果；所述微纳子结构上设置有至少一个凹槽，所述凹槽包含至少两个相对的侧壁和一个底部，所述凹槽内设置有油墨，用于呈现颜色效果。这样，所述精密微结构可以呈现立体浮雕效果和呈现颜色效果。本发明提供了一种精密微结构的制备方法，通过转印固化、填充油墨和清洗的方法，使用的油墨量少。本发明还提供了另一种制备方法，通过网纹辊将油墨附着在模版上，在转印微纳子结构的同时，将油墨一并填充在凹槽中，该方法步骤更为简便，使用的油墨量更少，低碳环保。
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公开(公告)号：CN114913559A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110179852.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06V40/13 , G06V10/147 , G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列成像组件的生产装置及制备方法，该微透镜阵列成像组件的生产装置通过传输系统传输基底，使基底依次通过出胶系统、压印系统、喷涂系统、显影系统和清洁系统，以依次完成在基底上涂覆胶水、在基底上压印出微透镜阵列、在基底正面和背面涂覆黑色光阻材料和挡光材料并在基底背面进行曝光、向基底正面喷涂显影剂以及对基底进行清洁，从而制备得到高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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公开(公告)号：CN113296364B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010113358.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
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公开(公告)号：CN112799286B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115238.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN114335375A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011057551.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: H01L51/52
Abstract: 一种增亮膜，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面之内或之上设置有微纳结构层，微纳结构层包括第一微纳结构区以及绕着第一微纳结构区周向设置的第二微纳结构区，第一微纳结构区包括多个第一微纳结构，各第一微纳结构包括多个第一斜面，各第一斜面与第二表面之间具有第一倾斜锐角，第二微纳结构区包括多个第二微纳结构，各第二微纳结构包括多个第二斜面，各第二斜面与第二表面之间具有第二倾斜锐角，第二倾斜锐角与第一倾斜锐角角度不同，使得第二微纳结构区的出光率大于第一微纳结构区的出光率。本发明的增亮膜能够实现OLED显示装置增亮，并使OLED显示装置发光更均匀。
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