公开(公告)号：CN205749968U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620637310.9

申请日：2016-06-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 胡敬佩 ,  王钦华 ,  赵效楠 ,  朱爱娇 ,  林雨 ,  曹冰

IPC: G02B5/30

Abstract: 本实用新型提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本实用新型的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。

公开(公告)号：CN206057627U

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201621044134.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 林雨 ,  王钦华 ,  胡敬佩 ,  徐铖

IPC: G02B5/30

Abstract: 本实用新型公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；金属层的厚度为70nm-90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。