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公开(公告)号：CN103252199B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210577204.2
申请日：2012-12-27
Applicant: 苏州大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明公开了一种无机二氧化硅/有机纳米粒子核壳结构的制备方法，使用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵稳定纳米粒子并且作为多孔二氧化硅壳层形成的模板，在碱性环境下，硅烷偶联剂在模板处水解压缩，达到在有机纳米颗粒表面包覆无机多孔二氧化硅的目的。本发明在有机纳米粒子表面引入很薄层的硅壳，使其表面修饰操作多样化，而且制备方法具有普适性，对于一系列的疏水性荧光染料均适用。本发明制备操作过程简单易行，可重复性好，反应过程温和，具有普适性，因此具有推广运用的价值。
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公开(公告)号：CN103251558B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210569309.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 苏州大学
IPC: A61K9/107 , A61K47/02 , A61K31/4745 , A61P35/00
Abstract: 本发明公开了高载药量的具有组合治疗效果的多功能纳米药物的制备，其通过控制疏水性抗癌药物在水中的过饱和度、阳离子型表面活性剂的浓度、加入的Au种的量以及利用亲水性表面活性剂中双硫键与Au壳表面的化学作用对长有一层Au壳的纳米药物的表面进行亲水性修饰，来实现高载药量的具有化疗和热疗组合治疗效果的生物环境稳定的多功能纳米药物的制备。采用本发明技术方案，制备方法简单易行，为其他用于癌症治疗的多功能的纳米材料的制备提供了实验依据，可在生物、医学、化学等领域取得广泛应用。
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公开(公告)号：CN102544379A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210041992.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法，所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成，当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时，则构筑出异质结器件，其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料；该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号，然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时，出现反向电导增强的现象，原因是光照使得SQ的载流子浓度升高，p-n结变薄，当施加反向偏压的时候，载流子更容易隧穿过结区，出现反向电导升高的现象。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。
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公开(公告)号：CN102505144A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110342746.7
申请日：2011-11-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明揭示了一种有机微纳结构定向生长的制备方法，利用物理气相沉积法，基于具有表面周期光栅结构的衬底定向地制备有机微纳米线，通过控制气压、气流、温度、保温时间及沉积区位置等生长条件，实现有机微纳米线生长的尺寸与生长密度的高度可控，是超长有机微纳米线在二维平面高度准直定向生长的一种简单有效的制备方法。本发明的方法简单易行，灵活且具有很大可扩展性，适用于各种有机化合物微纳米线的定向生长，制得的微纳米线长度可从数十微米至毫米量级，对于制备基于有机微纳结构的纳米器件，并进一步实现纳米器件集成具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102240573A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110088273.2
申请日：2011-04-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备有机空心结构纳米材料的方法。该方法采用能够互溶的良溶剂和不良溶剂，利用目标有机物在两种溶剂中的溶解度有较大差别，使目标有机物在溶剂交换时可以析出，有机分子与不良溶剂间的憎溶作用使有机物形成纳米晶核，分子之间在超分子相互作用力和表面活性剂辅助下生长。本发明通过调节有机小分子的浓度，使其在高的化学势下首先进行成核大爆炸过程，并在分子间作用力和表面活性剂的诱导下，定向自组装为规则形貌的纳米结构，经过ostwaldripening，得到空心结构的产物。该方法一步实现了有机空心结构纳米材料的制备和控制，简单易行，可批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764588B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110720722.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶光电晶体管及仿生光子器件。该有机单晶光电晶体管由下至上依次形成有栅极、第一绝缘层、光吸收层和第二绝缘层；所述光吸收层的材料选择为能够吸光且在光照条件下产生光生载流子，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均选择为含活性官能团的聚合物绝缘材料，且所述第一绝缘层选择为其活性官能团能够在所述光照条件以及所述栅极被施加栅压时捕获所述光生载流子中的电子，所述第一绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶，且所述第二绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶。本发明的有机单晶光电晶体管提高了器件对弱光的探测能力。
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公开(公告)号：CN116709791A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310671443.2
申请日：2023-06-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机隧穿场效应晶体管及其制备方法，涉及有机隧穿场效应晶体管的技术领域。本发明在有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层之间插入了分子插入层，可以有效阻止金属氧化物层对有机半导体单晶薄膜层的渗透和破坏，避免第一电机层团簇扩散到有机半导体单晶薄膜层中导致大量的缺陷、应变和无序态，减弱有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层的费米能级钉扎效应并减小了隧穿势垒，提高了BTBT的传输概率，从而使得有机隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅明显小于60mV dec‑1，表明器件可以以极快的速度开启。
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公开(公告)号：CN115207141A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210826977.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，涉及光伏器件制造领域。本发明先提供一单晶硅片，并在单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构，之后将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而将柱状体结构刻蚀为金字塔结构，四甲基胍的质量分数为范围在1％～4％之间的任一数值，邻苯二酚的质量分数为范围在0.2％～0.8之间的任一数值。上述技术方案使用邻苯二酚作为添加剂、四甲基胍溶液作为刻蚀液进行湿法刻蚀，可以避免金属离子残留，提升了硅片品质，并且能够避免添加剂的挥发，不需要定时添加添加剂，工艺简单，成本低且加工效率高，适合大规模加工制造应用。
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公开(公告)号：CN111554812B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010408931.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层，并在绝缘层上旋涂光刻胶，以通过光刻技术在基底上得到图案化阵列位点；配置液晶小分子溶液以作为墨水，将墨水打印至图案化阵列位点上，以得到具有液晶小分子的图案化基底；对图案化基底进行热处理，以使图案化阵列位点上的液晶小分子融化和铺展，且在液晶小分子融化后进行降温处理，以使融化后的液晶小分子重结晶，得到图案化有机晶体阵列。本发明的制备方法，利用喷墨打印技术并结合液晶小分子重熔再结晶的特性得到图案化有机晶体阵列，有效防止有机晶体阵列在图案化过程中产生咖啡环效应。
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公开(公告)号：CN113921741A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111404496.5
申请日：2021-11-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶电致发光器件、制备方法及偏振光信号发射器件。该制备方法包括：将有机小分子单晶发光材料溶解在有机溶剂中，获得溶液样品；将溶液样品密封，进行升温‑降温程序控制，获得生长有片状单晶的溶液；提供透明导电基底，从生长有片状单晶的溶液中吸取单个片状单晶，以将作为发光层的该片状单晶转移至透明导电基底上；配置作为绝缘层的聚合物溶液，将聚合物溶液涂覆在透明导电基底上，使聚合物溶液部分覆盖片状单晶；依次蒸镀电子传输层和电极材料层，以获得稳定高效的有机单晶电致发光器件。本发明制备方法简单，获得的有机单晶电致发光器件低成本、高性能且具有本征的偏振光发射特性，可作为一种新型的偏振光信号发射器。
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