公开(公告)号：CN102347343A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110221490.4

申请日：2011-07-25

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

Abstract: 本文公开了一种具有介于彩色滤光器之间的暗侧壁以减少光串扰的图像传感器。一种用于制造包括安置于邻近彩色滤光器之间的暗侧壁膜的图像传感器的装置及技术。该图像传感器进一步包括：安置于基板层中的感光元件阵列；彩色滤光器阵列(“CFA”)，其包括具有至少两种不同色彩、安置于该基板层的光入射侧上的CFA元件；及微透镜阵列，其安置于该CFA之上。每一微透镜被对准以经由相应CFA元件将入射于该图像传感器的光入射侧上的光指引至相应感光元件。暗侧壁膜安置于CFA元件的侧面上且分离CFA元件中的具有不同色彩的邻近者。

公开(公告)号：CN101983430A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200880126380.6

申请日：2008-12-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种背面受光成像传感器，其包含具有正面及背面的半导体基板。该半导体基板具有形成于该正面上的至少一个成像阵列。该成像传感器亦包含载体基板，其是用以对该半导体基板提供结构支撑，其中该载体基板具有与该半导体基板的该正面耦合的第一表面。再分配层是形成在该半导体基板的该正面与该载体基板的该第二表面之间以传送电信号于该成像阵列与该载体基板的第二表面之间。

公开(公告)号：CN101939840A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880126448.0

申请日：2008-12-24

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  H·E·罗兹 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  D·毛

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652

Abstract: 本发明是关于一种背面受光影像感测器，其包含一半导体层及一红外线侦测层。该半导体层具有一正面及一背面。一影像像素包含形成在该半导体层内的一光电二极体区域。该红外线侦测层是设置在该半导体层的该正面上以从该半导体层的该背面接收通过该影像感测器而传播的红外线。

公开(公告)号：CN102318064B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN200980105000.5

申请日：2009-02-04

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱卫东 ,  A·沙阿 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其包含至少一个设置在一半导体基板中的光敏元件。金属导体可设置在该半导体基板上。一滤光片可设置在至少两个单独的金属导体之间且一微透镜可设置在该滤光片上。可存在设置于这种金属导体与该半导体基板之间及/或单独的金属导体之间的绝缘体材料。该绝缘体材料可经移除以使得该滤光片可设置在该半导体基板上。

公开(公告)号：CN102148231B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110008440.8

申请日：2011-01-06

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。

公开(公告)号：CN102177586B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200980140364.7

申请日：2009-08-17

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。

公开(公告)号：CN103430311A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200980104591.4

申请日：2009-02-02

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明是关于一种成像传感器像素阵列，其包含：半导体基板；多个有源像素；及至少一个黑色参考像素(500)。多个有源像素是设置在该半导体基板(505)中用于捕获一图像。每一个有源像素包含用于接收光的第一区域，该第一区域包含用于累积图像电荷的p-n结；及耦合至该第一区域以读出该图像电荷的有源像素电路。该黑色参考像素亦是设置在该半导体基板中用于产生黑色电平参考值。该黑色参考像素包含：用于接收光的第二区域(521)，该第二区域没有p-n结；及黑色像素电路(TX，RST，SF，SEL)，该黑色像素电路耦合至无该p-n结的该光电二极管区域(521)以读出黑色电平参考信号。

公开(公告)号：CN102214610B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201110096075.0

申请日：2011-04-01

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L27/144 ,  H01L29/36 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN102376732A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110261316.2

申请日：2011-08-08

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  W·郑 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14638

Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。

公开(公告)号：CN102318064A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980105000.5

申请日：2009-02-04

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱卫东 ,  A·沙阿 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其包含至少一个设置在一半导体基板中的光敏元件。金属导体可设置在该半导体基板上。一滤光片可设置在至少两个单独的金属导体之间且一微透镜可设置在该滤光片上。可存在设置于这种金属导体与该半导体基板之间及/或单独的金属导体之间的绝缘体材料。该绝缘体材料可经移除以使得该滤光片可设置在该半导体基板上。