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公开(公告)号：CN106374040A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610729632.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/16 , H01L45/1666
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，涉及信息存储技术，具体涉及一种多层阻变存储器单元及其制备方法，可增大阻变器件存储窗口。从下至上依次为基片、底电极、阻变层、控制层和顶电极，控制层与阻变层的材料相同，但氧含量不同，控制层厚度为1～10nm；且上一层尺寸不超出下一层。本发明通过增加纳米级控制层，使阻变存储器的存储窗口提高了1-2个数量级，达到多级存储所需的必要条件；并且控制层的加入抑制了氧离子移动过程中在顶电极处的耗散，有效的保护了顶电极，增大了器件的稳定性。另外，该多层阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
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公开(公告)号：CN106219484A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610645785.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00 , H01F1/0045
Abstract: 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中，通过控制外磁场的方向和大小来控制纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性；待溶剂蒸发完后，取出基片。本发明纳米颗粒自组装阵列是通过将磁性纳米颗粒溶液滴加于阵列凹槽内，并在外磁场产生装置中蒸发溶剂后得到的，通过控制外磁场产生装置形成的磁场的大小和方向可调控纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性的大小和易磁化轴方向，从而得到磁性各向异性显著且可控的纳米颗粒自组装阵列。
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公开(公告)号：CN106158235A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610770315.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01F10/14 , C23C14/14 , C23C14/35 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01F41/18
Abstract: 一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法，属于磁传感器技术领域。本发明将等厚度的坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜交替重复形成微米级的磁通聚集薄膜，由于掺铬的坡莫合金薄膜与未掺杂的坡莫合金薄膜之间存在磁化强度梯度差△M，该磁化强度梯度差△M会产生垂直于膜面的退磁场而使薄膜的磁矩平行于膜面，这样即使多层薄膜的厚度达到微米级，也不会出现磁矩向面外分布，即不会产生面外各向异性，使得薄膜具有良好的磁通聚集性能。本发明坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜之间的晶格匹配，在形成多层薄膜时不会产生应力而恶化薄膜的软磁性能；本发明采用两种磁性层交替形成磁通聚集薄膜，保证了磁通聚集薄膜的饱和磁化强度不降低。
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公开(公告)号：CN105225833A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510701570.8
申请日：2015-10-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；然后外加大小大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反的外磁场H2，同时在交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。本发明可在薄膜噪声抑制器制备完成后，根据实际需要调整噪声信号抑制频段及展宽噪声抑制器的抑制频段，可大大提高薄膜噪声抑制器的应用灵活性。
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公开(公告)号：CN105175010A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510587454.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备金红石二氧化钛纳米薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。首先以钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为溶质，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的混合液为溶剂，配制钛酸四丁酯的浓度为0.1～1mol/L的前驱体溶液，其中，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的体积比为1：1：0.5；然后加入乙酰丙酮作为螯合剂、丙三醇作为增粘剂，搅拌，得到透明均匀的溶胶；最后经过旋涂和高温烧结，在硅片上得到金红石二氧化钛纳米薄膜。本发明方法具有成本低廉、工艺简单、重复性好、可大规模制造的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140175A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510447585.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76805 , H01L21/0271
Abstract: 一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法，属于集成电路工艺领域。本发明采用厚度大于绝缘介质层的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，对绝缘介质层进行刻蚀，充分利用氧气等离子体对光刻胶的去除作用，在刻蚀过程中使光刻胶在厚度方向逐步形成倾斜侧面，并在刻蚀过程中将该倾斜侧面形状传递给绝缘介质层，形成侧面倾斜的通孔，最后再进行通孔内的铜和上层线圈的电镀。本发明简化了工艺步骤，解决了通孔与上线圈接触区截面积小的问题，得到的通孔和上层线圈有良好的接触，不用增加上层线圈的厚度就能制备得到性能优良的微电感。
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公开(公告)号：CN104617215A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510013300.8
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法，属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片，在其一面涂覆银胶作为电极，另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，再经过极化和老化处理后得到的。通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲，在去掉外加电压后，可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态，达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便，易实现，调控效果良好，在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。
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公开(公告)号：CN104237985A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410480020.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的全介质反射膜采用密度为2.15-2.32g/cm3的非晶硅薄膜制作成高折射率膜层，采用密度为1.90-2.10g/cm3的非晶硅薄膜制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用非晶硅薄膜，非晶硅薄膜只需通过交替改变PECVD沉积过程中的反应条件，即可得到密度不同的非晶硅薄膜，该反射膜在结构上只采用了非晶硅作为膜层材料，具有工艺连续、一次成膜的优点，同时，当前成熟的非晶硅薄膜生产工艺使得该种反射膜得以低成本、大面积制备，具有很强的实用意义。适合在光器件领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103304186B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310275973.1
申请日：2013-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体基复合磁介天线基板材料及其制备方法，它由85%~90%质量比例的主相材料和15%~10%质量比例的辅助相材料复合而成；所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24-yO41，其中x的取值范围为0~1.5，y的取值范围为0~4，所述辅助相材料为聚酰亚胺树脂。本发明提供的磁介复合基板材料，在300MHz~3GHz的频率范围内具有较低的磁导率和较高的介电常数，小型化因子较高，同时其磁损耗和介电损耗都较低；比常规陶瓷基板材料抗机械冲击的性能更好。不仅有助于降低天线重量和体积，而且也有利于提高微带天线的带宽并抑制表面波的产生。
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公开(公告)号：CN102838346B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210378617.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种以尖晶石铁氧体为母体的天线基板材料及其制备方法，为包含两相的复合陶瓷材料，其中主晶相为尖晶石铁氧体，辅助相为硅酸锌，所述主晶相与辅助相的质量百分比在94∶6至96∶4之间。本发明的天线基板材料可以显著的缩小低频段（10～200MHz）微带天线的尺寸和体积，保证天线基板材料的特性阻抗与真空的特性阻抗相等或接近，从而可显著的提升天线的辐射效率。
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