公开(公告)号：CN102484167A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037578.4

申请日：2010-08-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  班杰明·B·里欧登 ,  阿塔尔·古普塔

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种产生太阳能电池的改良方法，其利用在离子植入器中相对于离子束而固定的遮罩。朝向基板将所述离子束引导穿过所述遮罩中的多个孔。所述基板以不同速度移动，使得当所述基板以第一扫描速率移动时，所述基板暴露于一离子剂量率，且当所述基板以第二扫描速率移动时，所述基板暴露于第二离子剂量率。藉由修改所述扫描速率，可在对应的基板位置处将各种剂量率植入于所述基板上。此做法使离子植入能用于提供对于太阳能电池制造而言有利的精确的掺杂轮廓。

公开(公告)号：CN101925982B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880125723.7

申请日：2008-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: G21K5/10 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明包括具有以前不能实现的角度精度的用于高倾斜角度注入的方法。具有宽度维度和高度维度的离子束由许多单个的小射束组成。这些小射束通常在这两个维度中的一者内显示了更高的平行度。因此，为了最小化角度误差，工件绕实质上垂直于具有更高平行度的维度的轴倾斜。然后，工件在高倾斜角度被注入且绕正交于工件表面的直线旋转。此方法可被重复直至高倾斜注入已经在所有所需的区域实施。

公开(公告)号：CN101189696B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200680019884.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1507 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26586

Abstract: 本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。

公开(公告)号：CN101925982A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125723.7

申请日：2008-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30 ,  H01J37/36

CPC classification number: G21K5/10 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明包括具有以前不能实现的角度精度的用于高倾斜角度注入的方法。具有宽度维度和高度维度的离子束由许多单个的小射束组成。这些小射束通常在这两个维度中的一者内显示了更高的平行度。因此，为了最小化角度误差，工件绕实质上垂直于具有更高平行度的维度的轴倾斜。然后，工件在高倾斜角度被注入且绕正交于工件表面的直线旋转。此方法可被重复直至高倾斜注入已经在所有所需的区域实施。

公开(公告)号：CN101371327B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780002657.X

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 肯尼士·H·波什 ,  阿塔尔·古普塔

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/147 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。