公开(公告)号：CN117003565A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310943667.4

申请日：2023-07-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘磊仁 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  王令

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/10

Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。

公开(公告)号：CN116230752A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310116479.4

申请日：2023-02-13

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张福胜 ,  谢梓翔 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该逆导型绝缘栅双极晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区、第二导电类型掺杂的基区、从漂移区的表面延伸入漂移区且平行排列的多个沟槽，沟槽贯穿基区且底部与漂移区接触，沟槽内设置有绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料；基区包括交错分布的有源区和虚拟元胞区；由有源区对应的发射区、接触区及其毗连的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元；虚拟元胞区对应的基区及其毗连的接触区、漂移区和阴极区组成反向恢复晶体管单元；其中，位于虚拟元胞区内的沟槽的绝缘介质层设置有凹槽。本申请在不显著增加工艺和成本的基础上，优化RC IGBT的反向恢复性能，降低二极管的关断损耗。

公开(公告)号：CN115954375A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211676804.4

申请日：2022-12-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  谢梓翔 ,  李春艳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。

公开(公告)号：CN119805144A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411827417.5

申请日：2024-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 梁彰怀 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江 ,  宋德超

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路，智能功率模块包括驱动芯片和功率器件，测试电路包括信号发生模块、电源模块、可调负载模块和数据采集模块；驱动芯片，用于控制功率器件的工作状态；信号发生模块，用于根据预设工况需求信息，控制驱动芯片的输出状态；电源模块，用于根据预设电压需求信息，对功率器件提供母线电压；可调负载模块，用于根据预设负载需求信息，对功率器件提供负载；数据采集模块，用于采集功率器件的电压和电流。通过信号发生模块、电源模块和可调负载模块控制功率器件，并采集功率器件的电压和电流的方式，对智能功率模块测试，从而提高了测试效率并节省了开发周期。

公开(公告)号：CN119584598A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411599684.1

申请日：2024-11-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管中每个元胞包括漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层、注入层、源极金属区和栅极区；漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层和注入层依次层叠；源极金属区的上部覆盖注入层和栅极区的上表面，源极金属区的下部贯穿注入层、基区层和电流扩展层并延伸至外延层中的埋层区；源极金属区的侧壁包括肖特基接触区和以侧壁作为纵向中心线的栅极区。本申请实施例在保证碳化硅金属氧化物半导体场效应管的导通压降和可靠性的同时，提高了金属氧化物半导体场效应管的动态特性。

公开(公告)号：CN119420324A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411706816.6

申请日：2024-11-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 高梦蝶 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H03K5/04 ,  H03K5/12

Abstract: 本申请公开了一种脉冲产生电路、驱动芯片及电子设备，属于电子设备技术领域。脉冲产生电路包括方波输入端、第一脉冲单元和第二脉冲单元。第一脉冲单元包括第一延迟模块和第一逻辑处理模块；第一延迟模块用于将方波信号的下降沿进行延时处理，生成第一延时信号；第一逻辑处理模块用于根据第一延时信号输出第一脉冲信号；第二脉冲单元包括第二延迟模块和第二逻辑处理模块；第二延迟模块用于将方波信号的上升沿进行延时处理，生成第二延时信号；第二逻辑处理模块用于根据第二延时信号输出第二脉冲信号。第一脉冲信号和第二脉冲信号的脉宽相较于方波信号的脉宽较窄，实现了由方波信号至脉宽较窄的脉冲信号的转换。

公开(公告)号：CN119361587A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411335109.0

申请日：2024-09-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王令 ,  吴灵美 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、电器及智能功率模块的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括芯片组、第一覆铜陶瓷基板以及第一烧结层，其中，所述芯片组包括至少一个功率芯片，所述第一覆铜陶瓷基板对应于所述功率芯片的电极区域设置有铜柱，所述第一烧结层设置于所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板上，且所述铜柱内嵌于所述第一烧结层中，所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板，通过所述第一烧结层形成电性连接。由此，消除了功率芯片与第一覆铜陶瓷基板之间的键合线，避免键合线由于热应力或外部振动导致断裂或脱键引起的电性连接失效问题，并大大提高了所述智能功率模块的电气稳定性。

公开(公告)号：CN119170655A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411360942.0

申请日：2024-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭华溢 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括半导体基底、第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，半导体基底包括第一表面区域，第一掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底中，第一掺杂区采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到。第二掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底上，且第一掺杂区和第二掺杂区沿第一表面区域的第一方向交错设置。第二掺杂区采用第二掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。从第一表面区域延伸至半导体基底中的第三掺杂区，采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第三掺杂区的区域面积大于第一掺杂区的区域面积。由此提升二极管的反向耐压性能和减小正向导通压降。

公开(公告)号：CN118763126A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411238021.7

申请日：2024-09-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  谢梓翔 ,  马颖江

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。

公开(公告)号：CN118738132A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411230166.2

申请日：2024-09-04

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。