公开(公告)号：CN114864382A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210473606.1

申请日：2022-04-29

Applicant: 燕山大学

Inventor： 聂安民 ,  康梦克 ,  向建勇 ,  翟昆 ,  牟从普 ,  薛天宇 ,  温福昇 ,  王博翀 ,  柳忠元 ,  田永君

IPC: H01L21/02 ,  C01B17/00 ,  C01G39/06 ,  C01G41/00 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。