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公开(公告)号：CN114001832B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111276820.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外偏振探测像元结构，通过将光栅层的通光区域设置成对应偏振方向的正多边形，可以保证该通光区域中对应不同偏振方向的光栅除偏振方向不同之外均具有相同的形貌，从而保证对于多个预设偏振方向的入射光该光栅层均具有相同的透过效率。通过将像元层设置成与透光区域相对应的正多边形，同时在像元层表面设置吸收单元，可以排除像元层中电极造成的偏振选择吸收特性的影响，使得红外探测像元的光吸收偏振不敏感，从而保证像元层对不同偏振方向的光线响应一致，避免响应非均匀性的问题。本发明还提供了一种芯片以及探测器，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN114279565A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111645245.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外光谱芯片及其制备方法和红外光谱仪，包括多个不同的第一光谱像元，每个第一光谱像元包括由下至上叠加的第一悬空像元结构和第二悬空像元结构；第二悬空像元结构包括微结构层，微结构层包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构。本申请中的红外光谱芯片包括多个第一光谱像元，第一光谱像元包括第一悬空像元结构和第二悬空像元结构，且第二悬空像元结构包括多个特征微结构，使得第一光谱像元的光谱响应为宽带响应；由于本申请中直接在红外光谱芯片上设置特征微结构，降低入射光在红外探测器上的串扰，提升光谱测量精度，同时还可以提升红外探测器的良率，即提升红外光谱仪的良率。
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公开(公告)号：CN111896120B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010801748.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法，包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层，第二悬空层包括第二支撑层和线栅层；线栅层包括多个超像元区域，每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域，第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域，每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同，且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下，保证工作视场不受影响。
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公开(公告)号：CN111947789B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010801746.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法，包括多个探测器单元，探测器单元包括四个超像元结构，超像元结构包括四个像素单元；像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层，第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层，超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间，且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层，金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块，第二悬空层包括第一支撑层和线栅层；同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度，位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同，且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等，以实现对红外波段的双色偏振成像，无需制作高度不同的谐振腔，制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN110186574B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910251900.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110260981B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910250543.1
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN110174175A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910250570.9
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN110160656A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910250576.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN108917942A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201811124163.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN107128872B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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