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公开(公告)号：CN105643434A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610030932.X
申请日：2016-01-18
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/34 , B24B27/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多工位化学机械抛光系统中晶圆传送的控制方法，包括以下步骤：根据加减分法在线计算每个工位的工位分值；根据每个工位的工位分值确定取片工位；通知机械手从取片工位中取得晶圆，并根据放片的就近原则将晶圆传输至下一个加工工位。本发明实施例的控制方法根据每个工位的工位分值确定取片工位，从而将晶圆及时传输至下一个加工工位，更好地保证了整个工艺的连续进行，提高了化学机械抛光系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN103676880B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310684501.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种CMP集成控制系统的通讯模块，该CMP集成控制系统包括：主工控机、下位机组和二级工控机，该通讯模块用于实现主工控机与下位机组和二级工控机之间的通讯，其包括：OPC访问子模块和TCP/IP访问子模块，且两个子模块并行工作；主工控机通过OPC访问子模块从下位机组获取多个工艺单元的状态信息和过程参数，并向下位机组发送控制多个工艺单元运行的控制指令、工艺配方及工艺参数，以及通过TCP/IP访问子模块向二级工控机发送控制指令以便二级工控机控制被集成单元执行相应的动作，并接收二级工控机的反馈。本发明实施例的通讯模块具有安全、稳定及可靠的优点，且该通讯模块便于维护，可扩展性好。
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公开(公告)号：CN103268382B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310204940.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种晶圆铜膜厚度离线测量模块控制系统，采用上层控制系统和底层控制系统的两级控制模式，上层控制系统和底层控制系统之间通过工业以太网实现物理连接，其中，底层控制系统中，采用可编程控制器PLC负责直接控制离线测量模块的各个部分；上层控制系统中，采用工控机IPC通过PLC实时监控离线测量模块的状态，并为工艺人员提供操作软件，实现数据的管理。根据工艺需求，设置XY模式和全局模式两种主要测量模式。工艺流程分为标定和测量。上层控制系统软件利用Matlab实现绘图子程序，方便主程序灵活调用。本发明具有无损测试、操作简单、便于维护以及安全可靠的优点。
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公开(公告)号：CN103679368A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310683737.3
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G06Q10/06
Abstract: 本发明提出一种晶圆CMP加工信息管理系统，用于科学地管理每一片晶圆的CMP加工信息，方便工艺人员登录和访问数据库，包括：客户端，用于向服务器端发出访问请求建立连接并要求各项服务；以及服务器端，用于响应客户端的访问请求与客户端建立连接，并提供服务。客户端运行在上位机IPC中。服务器端，利用MySQL数据库管理系统建立数据库，用于记录和保存被提交的数据。数据库中，根据晶圆编号、晶圆状态、加工时间和工艺配方名称等主要字段，建立一系列完整的晶圆CMP加工信息数据表格。对于MySQL数据库的访问方法，本发明利用Qt的数据库访问接口，自行编译MySQL数据库驱动。数据库登陆成功后，客户端使用标准的SQL来对数据库进行操作。
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公开(公告)号：CN103197654A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310134292.3
申请日：2013-04-17
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418 , H01L21/66
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种基于OPC标准的半导体装备的监控系统，包括：下位机组，下位机组与半导体装备相连，用于控制半导体装备的运行，并监测半导体装备的运行状态及过程参数；上位机，上位机与下位机组相连，用于向下进行监控和管理，并从下位机组获取半导体装备的状态信息和过程参数，以及向下位机组发送控制半导体装备运行的控制指令、工艺配方及工艺参数。该系统具有安全可靠且操作方便的优点，并以统一的方式实时访问控制半导体装备各个单元模块的下位机组，并将各个下位机组集成在一起，完成各个单元模块的统一管理以及晶圆加工的生产调度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110207584B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910365399.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：根据离线采集的晶圆膜厚信息以及在抛光期间使用膜厚传感器进行动态测量时输出的信号值，获取输出信号与晶圆膜厚的映射关系；并利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。
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公开(公告)号：CN106298576B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610874828.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法，包括：读取电涡流传感器的输出信号，根据输出信号计算采样信号；设定采样信号的幅度阈值；根据幅度阈值，遍历所有采样信号，以得到全部非零点信号段；计算每个非零点信号段的信号宽度，根据信号宽度确定采样信号的宽度阈值；根据幅度阈值和宽度阈值，重新遍历测量过程中的全部非零信号段，提取有效测量信号段，计算每个有效测量信号段的中心区间的全部数据点的平均值；根据平均值得到CMP全工艺过程金属膜厚的变化信息。本发明可有效消除测量过程中的干扰信号和部分异常信号的影响，能够简洁高效地计算出真实的铜层厚度变化，且计算结果精确度高。
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公开(公告)号：CN103218751B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310148657.8
申请日：2013-04-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06Q50/04
CPC classification number: Y02P90/30
Abstract: 本发明提出一种基于XML的半导体装备的工艺配方文档处理系统，包括：下位机组，下位机组与装备的各工艺单元相连，用于接收和存储当前工艺配方，并根据当前工艺配方的参数控制各工艺单元的正常运行；上位机，上位机与下位机组相连，用于根据工艺需求创建、编辑和保存工艺配方文档，并对工艺配方文档进行解析，以将解析后的工艺配方内容下载到下位机组中。在上位机中，所有工艺配方文档均以XML文件格式处理，工艺人员可利用处理系统的图形用户界面对工艺配方文档进行各项常规性操作。本发明实施例的处理系统便于管理半导体装备工艺配方文档，省时省力、防止人为出错且节约人工成本。
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公开(公告)号：CN106323152A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610802034.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种CMP金属膜厚测量数据的离线分段处理方法和处理系统，该方法包括：读取晶圆表面金属膜厚变化数据；如果最终金属膜厚度的采样信号幅值大于干扰信号幅值，设定第一幅度阈值；根据第一幅度阈值从膜厚数据中获取测量信号段的上升沿和下降沿；根据测量信号段的上升沿和下降沿确定测量信号段的中心位置；根据测量信号段的中心位置取测量信号段中心区间内所有点的平均值作为相应测量信号段的测量值。本发明可有效消除干扰信号的影响，进而计算出实际工艺过程中晶圆表面金属层的厚度变化。
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公开(公告)号：CN106197249A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610875030.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明提出一种CMP过程中铜层厚度在线测量系统及其控制方法，该系统包括：电涡流传感器；双极霍尔开关，用于判断探头是否进入测量区域；数据采集模块，包括第一输入端、第二输入端和输出端，第一输入端与电涡流传感器相连，以获取电涡流传感器的输出信号，第二输入端与双极霍尔开关相连，以获取双极霍尔开关的输出信号；控制模块，与数据采集模块的输出端相连，用于接收电涡流传感器的输出信号和双极霍尔开关的输出信号，并根据电涡流传感器的输出信号计算当前测量均值和当前零点均值，并根据当前测量均值和当前零点均值计算铜层厚度。本发明能够快速、高效地计算出CMP过程中真实的铜层厚度变化。
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