公开(公告)号：CN105391404B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510924414.8

申请日：2015-12-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  卢琪 ,  伍晓明 ,  吴华强 ,  张进宇 ,  钱鹤 ,  余志平

IPC: H03D7/16 ,  H03D7/14

Abstract: 本发明公开了基于石墨烯场效应管的双平衡混频器，四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口。本发明具有如下优点：四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口，通过这种交叉耦合的方式，有效抑制电路的高频分量，提高了线性度，抑制了穿通，减小了噪声。

公开(公告)号：CN102868370B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210331572.9

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  肖柯 ,  吴华强 ,  伍晓明

IPC: H03F1/26 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。

公开(公告)号：CN102945794B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210331002.X

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴华强 ,  肖柯 ,  吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  伍晓明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。

公开(公告)号：CN102981060B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210331552.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 肖柯 ,  吴华强 ,  吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  伍晓明

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。

公开(公告)号：CN102879625B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210331632.7

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  肖柯 ,  钱鹤 ,  吴华强 ,  伍晓明

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。

公开(公告)号：CN103579255A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310503602.4

申请日：2013-10-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  吴华强 ,  黄灿 ,  钱鹤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种存储单元及其形成方法，该存储单元包括：衬底；自组装单分子层，自组装单分子层位于衬底之上，自组装单分子层邻近衬底的一侧含有硅氧基，自组装单分子层远离衬底的一侧含有氨基；和石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于自组装单分子层之上。本发明的存储单元具有透明度高，柔性可弯曲的优点。

公开(公告)号：CN102879625A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210331632.7

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  肖柯 ,  钱鹤 ,  吴华强 ,  伍晓明

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。

公开(公告)号：CN102868370A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210331572.9

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  肖柯 ,  吴华强 ,  伍晓明

IPC: H03F1/26 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。