-
公开(公告)号：CN103035685A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210535456.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品BC结电容大的缺陷而设计。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管包括集电区、本征基区、埋氧层、发射极、侧墙、硅层，以及外基区。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管在外基区下加入埋氧层，降低了BC结电容，提高了器件性能。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法实现了本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
-
公开(公告)号：CN103000680A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210551538.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅引出部、发射极多晶硅引出部、基极、以及发射极。在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低器件的输出输入电容，屏蔽输出端与输入端之间的反馈电容，改善晶体管高频性能，减小晶体管放大器的振荡和传输延迟，提高电路速度，适用于硅或锗硅异质结双极晶体管。
-
公开(公告)号：CN102075123B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110005324.0
申请日：2011-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: H02N15/00
Abstract: 本发明涉及一种旋转机构，尤其涉及一种在高温和真空状态下的磁悬浮旋转机构。其结构为：下永磁铁固定在高温真空腔体的内部底面，上永磁铁位于下永磁铁的上方，并与上永磁铁之间通过磁斥力产生间隙；支架固定在上永磁铁上，而转子固定在支架上；定子固定在高温真空腔体外部与转子相对的位置。其核心为应用磁悬浮技术以及开关磁阻电动机的原理实现了在高温真空环境下实现无磨擦非接触旋转，因而避免了传统真空系统中密封圈的磨损老化问题以及无法耐高温的问题，从而提供了一种全新的高温真空旋转装置的解决方案。
-
公开(公告)号：CN102664191A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210153269.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
-
公开(公告)号：CN102075123A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110005324.0
申请日：2011-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: H02N15/00
Abstract: 本发明涉及一种旋转机构，尤其涉及一种在高温和真空状态下的磁悬浮旋转机构。其结构为：下永磁铁固定在高温真空腔体的内部底面，上永磁铁位于下永磁铁的上方，并与上永磁铁之间通过磁斥力产生间隙；支架固定在上永磁铁上，而转子固定在支架上；定子固定在高温真空腔体外部与转子相对的位置。其核心为应用磁悬浮技术以及开关磁阻电动机的原理实现了在高温真空环境下实现无磨擦非接触旋转，因而避免了传统真空系统中密封圈的磨损老化问题以及无法耐高温的问题，从而提供了一种全新的高温真空旋转装置的解决方案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872784A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010191020.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。
-
公开(公告)号：CN119290090A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411617191.6
申请日：2024-11-13
Applicant: 清华大学 , 北京电子控股有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种基于SAW振荡器的流体流量检测的无线传感系统，包括：一谐振器、一振荡电路、加热与温度传感模块、稳温器、流体管道、混频器、放大器、信号发生器及比较器；振荡电路、谐振器、稳温器及加热与温度传感模块依次顺序设置在流体管道上；稳温器通过流体管道将热量传递至谐振器，谐振器根据温度变化调整谐振频率并将调整后的谐振频率输出至振荡电路，振荡电路连接放大器，放大器将振荡电路输出的振荡频率放大后传输至混频器，信号发生器输出正弦波信号至混频器，混频器将差频信号输出至比较器。利用本申请，提高了中频信号随流体流量变化的线性区间，增加了系统测试的使用寿命及零漂稳定性。
-
公开(公告)号：CN116522839A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310273081.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本申请实施例提供一种基于数据拟合的片上非等宽螺旋电感确定方法及装置，方法包括：将n圈片上任意多边形非等宽螺旋电感等效为相等圈数的正多边形非等宽共心闭合金属，根据等效的所述正多边形非等宽共心闭合金属确定电感计算的拟合参数，其中，所述拟合参数包括所述正多边形非等宽共心闭合金属的圈数、平均直径、金属填充因子以及厚度因子；根据电磁仿真器的随机电感版图仿真结果确定电感计算的拟合系数；根据所述的拟合参数、拟合系数以及绝缘介质磁导率常数构建拟合电感计算式，确定片上非等宽螺旋电感；本申请能够简化片上非等宽螺旋电感的复杂耦合计算关系，在一般形式上给出一种通用的基于数据拟合的片上非等宽螺旋电感的计算方法。
-
公开(公告)号：CN103594500B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201310632268.2
申请日：2013-12-02
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。
-
公开(公告)号：CN105891628A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610193008.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.02 seconds)
