一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构

    公开(公告)号:CN104347582A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201310326155.X

    申请日:2013-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构,本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件,通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连,所得到的DBC基板再与外部封装相连,可以使得该半导体装置在承受反偏高压时,DBC板承担大部分耐压,器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。

    母排型功率模块支架
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103050448A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201210574053.5

    申请日:2012-12-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种新型自带母排型功率模块支架。母排型功率模块支架包括第一架臂及第二架臂,第一架臂包括第一金属板及第一支脚,第二架臂包括第二金属板及第二支脚,第一支脚与第二支脚对应在第一架臂与第二架臂的位置相互错开,第一金属板上具有第二架臂上功率模块伸出的孔,第二金属板具有第一支脚伸出的孔,第一金属板与第二金属板间填充有绝缘材料;第一支脚与第二支脚都为板状支脚,并在末端呈L型。本发明包括两个相互配合的金属第一架臂和第二架臂,采用类似母排的结构实现对功率模块的电气连接。本技术方案利用母排的容性特性最大限度的减小功率模块的寄生电感,增加了模块使用寿命,提升了模块的使用性能,仅需金属材料制造,工艺相对简单。

    具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块

    公开(公告)号:CN103887300A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210570375.2

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L2224/32225

    Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块,涉及一种具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块。IGBT模块结构中的导热绝缘基板通过焊锡与芯片直接结合,两者的热匹配程度是影响IGBT模块的热可靠性的关键因素之一。本发明通过采用热膨胀系数较小的金属(如Mo、Cr等)作为导热绝缘基板的上敷金属材料,实现芯片Si材料与导热绝缘基板的热匹配,减小热应力,从而提高模块的可靠性。

    使用小焊块取代焊锡片的焊接方式

    公开(公告)号:CN103878462A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210570398.3

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: B23K1/19

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件中芯片底部焊接层的设计,公开了一种用小焊块取代焊锡片的方法。它减薄了芯片底部焊接层的厚度,提升了它的散热能力,并在一定程度上缓减了不同的结温变化对模块失效的位置和机理的影响。

    一种新型功率半导体器件模块

    公开(公告)号:CN103035594A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210570187.X

    申请日:2012-12-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种散热效率高的新型的功率模块的设计方案,该模块包括模块外壳,在所述模块外壳内从下至上设置有衬底、直接覆铜层、至少两个半导体芯片以及模块外壳与衬底、直接覆铜层和半导体芯片之间填充的绝缘冷却液,所述绝缘冷却液可以为去离子水、3MFluorinertFluids溶液中的任意一种,所述外壳两侧设置有阀门,用以控制冷却液的进出。本发明利用绝缘冷却液代替硅胶,并在模块外壳两端开口并设置阀门,构造水流通路,散热效率高。

    一种回收对苯二甲酸残渣的方法

    公开(公告)号:CN101139277A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200710070570.8

    申请日:2007-08-28

    Abstract: 本发明提供了一种回收对苯二甲酸残渣的方法,该方法是以水为溶剂将对苯二甲酸残渣在高温条件下进行溶解、结晶和固液分离来实现的。先在150~350℃下将对苯二甲酸固体残渣溶解于水;将该水溶液逐步闪蒸结晶得到含有对苯二甲酸固体浆料;将该浆料经固液分离得纯度较高的对苯二甲酸产品和富集杂质的水溶液;回收的对苯二甲酸产品可返回氧化体系或直接进入精制单元。使用该方法不但可以降低PTA生产过程中固体废弃物的排放,保护环境,还可以降低原料消耗和生产成本,提高经济效益。

    一种双面散热功率半导体模块及制造方法

    公开(公告)号:CN112271141A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011145278.X

    申请日:2020-10-23

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种一种双面散热功率半导体模块及制造方法,属于半导体技术领域。半导体模块由上层绝缘衬板、下层绝缘衬板、功率半导体芯片、金属垫片、铝丝、功率端子和信号端子组成;功率半导体芯片与下层绝缘衬板通过预成型焊片接合,将功率半导体芯片放至在预成型焊片上方后,在功率半导体芯片表面施加预应力压块后进行回流焊接;功率端子和信号端子与下层绝缘衬板先通过超声键合焊接,在功率端子和信号端子的引脚周围涂覆焊膏后再进行回流焊接。本发明提供的双面散热功率半导体模块的制造方法提升了焊接后芯片高度的一致性,降低了焊接空洞率,确保了端子与绝缘衬板间的连接强度,并解决了超声键合工艺导致的绝缘衬板陶瓷层破裂问题。

    一种采用新型绝缘材料的电力电子模块

    公开(公告)号:CN103617967B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201310615891.7

    申请日:2013-11-27

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 郭清 谢刚 盛况

    Abstract: 本发明公开了一种采用新型绝缘材料的电力电子模块,包括功率芯片、焊锡层、直接覆铜层以及基板,所述直接覆铜层包括铜层及陶瓷层,所述陶瓷层为纳米氧化铝陶瓷层。模块中的直接覆铜层结构中采用新型的纳米氧化铝材料代替传统的材料,该纳米氧化铝具有垂直的蜂窝状细管,并填充高导热性的材料。它将纳米材料技术与电力电子模块结合,提升了功率模块的散热能力。

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