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公开(公告)号：CN118692908A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410811133.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明针对现有技术的不足，结合干法刻蚀、湿法腐蚀的优点，提供一种衬底的制备方法，以获得生长基底完整、图案化孔洞标准、可重复使用的衬底。所述衬底包括基底层和位于基底上的掩膜层，所述掩膜层具有竖直方向的通孔；基底层表面完整，通孔直径标准，且在100nm以内，可用于无缺陷/低缺陷纳米线的外延生长。
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公开(公告)号：CN118631204A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410607250.5
申请日：2024-05-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出了一种阻抗匹配电路，它以静电放电(Electro Static Discharge，ESD)保护电路所形成的寄生电容作为复用电容，将ESD保护电路复用使其代替阻抗匹配网络中并联到地的电容，即：该所述阻抗匹配电路中，一端连接所述阻抗匹配电路源端，另一端接地或接电源的并联接地电容为静电放电(ESD)保护电路所形成的寄生电容，从而可以减少芯片使用的元件数量，显著减小芯片面积，并消除ESD保护电路的寄生电容对阻抗匹配的影响。本发明提出的阻抗匹配电路，可以在不降低单芯片性能的前提下，有效降低单芯片的面积和成本，为芯片的商业成功奠定坚实基础。
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公开(公告)号：CN117038696A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311008754.7
申请日：2023-08-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多级分支纳米线发光器件及其制备方法，包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线，所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线，所述分支纳米线含有多个发光区。解决像素颗粒小型化方面的技术瓶颈，使得单个芯片就可以减轻VR画面严重的颗粒感、栅格、亮度对比度不够高等严重影响画面真实感的问题。因此，采用本发明技术的半导体制造的显示设备具有超高像素密度、体积小、重量轻、功耗低、发光亮度高、便携性大、色温稳定、使用寿命长、全彩/单色均可实现等优点。
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公开(公告)号：CN116781084A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310564118.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 浙江大学 , 圣邦微电子(北京)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多通道SAR ADC的电容阵列，包括K个最高位电容、N‑1个低位电容、采样保持电路、控制开关和比较器，各个通道均使用等同于DAC电容阵列最高位的权电容为跟踪保持电容，在实现各通道同步采样的同时减少了电容的总容值，从而减小了版图面积。工作时，先进入同步采样阶段和保持阶段，再把其中一个通道的跟踪保持电容与比较器相连接，经过开关控制进行电荷的重分配，完成一个通道上输入信号的模数转换；对于多个通道，把相应通道上的跟踪保持电容接入比较器并经历上述转换过程后，即可得到此通道的模数转换结果。本发明适用于多通道同步采样的SAR ADC设计，可以较大程度上减小电容面积。
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公开(公告)号：CN116207183A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310151332.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: 本发明克服了现有的外延生长技术中，衬底仅仅作为衬底本身的技术偏见，创造性的将衬底作为器件的一部分，实现异质半导体器件的制备，解决现有异质半导体器件只能利用单一半导体材料特性的缺点。相比于现有异质半导体器件的制备方法，本发明将利用异质集成的两种材料的特性，从而显著提升异质器件的性能，实现异质集成器件在更多领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071780B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010927821.5
申请日：2020-09-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。
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公开(公告)号：CN113031313A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110297508.2
申请日：2021-03-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请公开了一种基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，包括分区控制电极，位于最底层，用于控制薄膜不同区域当中相变材料的相态；第一光子晶体层，在所述分区控制电极上部，用于实现8‑14um波段的辐射率调控；第二光子晶体层，在所述第一光子晶体层上面，用于实现3‑5um波段的辐射率调控；超表面辐射层，在所述第二光子晶体层上面，用于实现5‑8um波段的高辐射率，进而在非红外大气窗口给物体散热。该隐身薄膜可通过分区控制电极来控制相变材料的相态，进而可以实时调控薄膜的红外辐射能力，具有对物体隐身效果的开/关能力，且可以分区域控制，具有伪装物体红外成像特征的能力。
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公开(公告)号：CN112415785A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011079247.9
申请日：2020-10-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的空间光调制系统，包括：输入系统，用于将输入光输入到相变材料调制单元阵列；相变材料调制单元阵列，由相变调制单元在平面排列形成，用于对所述输入光的相位和振幅特性进行二维空间分布调制；光寻址器与电寻址电路，与所述相变材料调制单元阵列相连，用于在外部信号的控制下对相变材料调制单元阵列内的每一个相变调制单元独立寻址并控制；输出系统，与所述相变材料调制单元阵列相连，用于将被所述相变材料调制单元阵列调控的光场输出。相变调制单元主要功能层为相变材料层，给相变材料施加一定的电/光刺激，可以改变相变材料的光学特性。通过一定设计的材料厚度、结构可实现对输入光相位和振幅的调控。
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公开(公告)号：CN109250786A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811149112.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明公开一种高效紫外LED杀菌装置及杀菌方法，其包括壳体以及设置在壳体内的梯子形杀菌通道、控制电路、电源、紫外LED杀菌模块和流速传感器，梯子形杀菌通道包括分水管道、集水管道和至少三个支管道，分水管道中部设置进水口，集水管道中部设置出水口，分水管道、集水管道和每个支管道的两端均设置紫外LED杀菌模块，每个支管道内均设置流速传感器，电源为流速传感器、紫外LED杀菌模块、控制电路供电，流速传感器实时检测进水口或出水口的流速，并将其发送给控制电路，控制电路根据各个支管道的流速调节对应的紫外LED杀菌模块的照射功率。该装置采用梯子形杀菌通道进行杀菌，增加了水流在梯子形杀菌通道内的驻留时间，提高了杀菌效率。
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公开(公告)号：CN109250785A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811148232.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明公开一种高效水处理杀菌装置及杀菌方法，装置其包括四根杀菌管、连接部件、紫外LED杀菌模组、流速传感器、控制电路和电源模块，四个杀菌管通过连接部件依次首尾相连形成矩形结构，每个杀菌管的两端均设置紫外LED杀菌模组，第一杀菌管的中部开设进水口，第三杀菌管的中部开设出水口，流速传感器位于进水口或出水口，电源模块与流速传感器、控制电路、紫外LED杀菌模组供电，紫外LED杀菌模组和流速传感器与控制电路电连接，流速传感器实时检测进水口或出水口的流速，并将其发送给控制电路，控制电路根据流速调节紫外LED杀菌模组的照射功率。本发明能有效降低每个杀菌管中水流速度，增加水流驻留时间，从而提高杀菌效率。
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