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公开(公告)号：CN116781084A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310564118.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 浙江大学 , 圣邦微电子(北京)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多通道SAR ADC的电容阵列，包括K个最高位电容、N‑1个低位电容、采样保持电路、控制开关和比较器，各个通道均使用等同于DAC电容阵列最高位的权电容为跟踪保持电容，在实现各通道同步采样的同时减少了电容的总容值，从而减小了版图面积。工作时，先进入同步采样阶段和保持阶段，再把其中一个通道的跟踪保持电容与比较器相连接，经过开关控制进行电荷的重分配，完成一个通道上输入信号的模数转换；对于多个通道，把相应通道上的跟踪保持电容接入比较器并经历上述转换过程后，即可得到此通道的模数转换结果。本发明适用于多通道同步采样的SAR ADC设计，可以较大程度上减小电容面积。
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公开(公告)号：CN115276656A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210252801.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学 , 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种高速容性SAR型ADC的逻辑加速电路及逻辑加速的方法。逻辑加速电路，包括2路选择器、锁存器、比较器，和自适应异步时钟发生器；2路选择器，用于选择输出锁存器结果和比较器结果并连接到控制电容阵列模数转换器CDAC的开关中；锁存器，用于锁存比较器结果，并连接到2路选择器；比较器用于比较CDAC的输出值与参考电压Vref，并输出比较结果，比较结果输出给2路选择器，比较完成后产生一个比较完成的标志信号输出给自适应异步时钟发生器；自适应异步时钟发生器包括一个延时模块DELAY和若干个与非门、非门，用于控制逐次逼近步骤。本发明针对逻辑操作进行了加速，并且每位操作都可以进行加速。
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公开(公告)号：CN118854448B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411365933.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。
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公开(公告)号：CN119129516A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411134743.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/394 , G06F30/398 , G06F30/33 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种超大规模集成电路拥塞预测方法，构建基于U‑Net结构的神经网络模型，将EDA工具的输出，快速计算得到的单元分布特征图、布线资源需求指标矩形区域线密度(RUDY)、矩形区域引脚线密度图(pinRUDY)作为模型输入，获得全局布线的拥塞热点图，从而能够解决集成电路拥塞精准预测的耗时长的难题，提升布局布线工具的结果质量以及执行效率。基于本发明，单个芯片拥塞分布计算的时间大约在0.0065s，相比于EDA提升了6个数量级；与EDA工具输出的拥塞图对比，SSIM指标在0.7935左右(nrmse＝0.0045),预测的准确率超过80％。
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公开(公告)号：CN118198040A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410278081.5
申请日：2024-03-12
Applicant: 浙江大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种静磁场屏蔽封装结构及应用，所述封装结构包括封装框架、芯片、磁屏蔽组件以及塑封体；所述磁屏蔽组件包括设置于封装框架上的底垫片、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁，以及设置于所述侧壁上的顶垫片，所述顶垫片上设置有若干开孔；所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱，所述电极柱包括柱体和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极，所述电极位于所述侧壁的两侧。该静磁场屏蔽封装结构通过在侧壁上设置电极柱，电极柱作为一种电连接结构解决磁屏蔽组件内外部的电气连接问题，无需开供键合线通过的侧壁槽口，具有较佳的屏蔽效率，且该静磁场屏蔽封装结构可四面打线，适用于QFP封装领域的磁屏蔽封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108598232B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201810054953.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
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公开(公告)号：CN115418194A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210986672.9
申请日：2022-08-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种高效导热增强的复合相变材料，通过优化载体的结构设计，使其在保持较高相变潜热特性的同时，增强了整体导热能力。本申请所述的高效导热增强的复合相变材料，包括芯材；所述芯材包括相变材料，芯材装载于腔室内，所述腔室所有方向的壁面之间间距小于5μm；多个腔室构成多孔网络，小尺寸的3D多孔网络结构可以有效抑制声子散射，同时内部裂痕的减少可以降低界面热阻，在不损失相变潜热的前提下有效提升导热性能。
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公开(公告)号：CN109065685A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810947312.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明提出一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，实用性强。
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公开(公告)号：CN108365063A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810054451.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明在蓝宝石衬底与低温GaN缓冲层之间具有Al2O3缓冲层，通过Al2O3缓冲层和低温GaN缓冲层的双层缓冲作用，提高GaN材料的晶体质量，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106158898A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610565055.6
申请日：2016-07-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种基于干涉效应的非易失性像素单元，包括多个亚像素单元，所述亚像素单元包含反射层，相变层和透明层。传统LED,LCD等显示器工作需要持续施加电压，消耗能量。而e‑ink技术的转换速率较慢，并且难以实现彩色。本发明的相变材料层可以在晶态和非晶态之间转换，起到转变薄膜颜色的作用，并且相变材料的晶态和非晶态在室温下都是稳定的，在不需要改变颜色的时候没有能量消耗，同时有着极快的转换速率。本发明通过阵列和电路控制可以实现一定色域的彩色。本发明是一种新型的显示技术，可以应用于彩色显示器、新型电子书、电子皮肤、智能广告牌等领域。
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