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公开(公告)号：CN114664653A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210254276.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN115466932A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211280686.5
申请日：2022-10-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种磁控溅射靶材快换结构和方法。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本发明提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。
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公开(公告)号：CN114943486B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210856154.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及智能管理的领域，其具体地公开了一种基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法，其包括：学生管理模块，用于以对学生信息和账户进行管理；设备管理模块，用于以对磁控溅射设备的相关信息进行管理；预约设置模块，用于设置预约数据；订单管理模块用于对预约订单进行管理；子账户模块，用于对子账户进行设置和管理；手机端管理后台模块，用于对预约订单信息进行后台管理；身份识别模块，用于进行身份识别；设备预约模块，用于对设备预约进行流程管理；个人中心模块，用于查看用户的个人已提交的预约订单信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114943486A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210856154.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及智能管理的领域，其具体地公开了一种基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法，其包括：学生管理模块，用于以对学生信息和账户进行管理；设备管理模块，用于以对磁控溅射设备的相关信息进行管理；预约设置模块，用于设置预约数据；订单管理模块用于对预约订单进行管理；子账户模块，用于对子账户进行设置和管理；手机端管理后台模块，用于对预约订单信息进行后台管理；身份识别模块，用于进行身份识别；设备预约模块，用于对设备预约进行流程管理；个人中心模块，用于查看用户的个人已提交的预约订单信息。
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公开(公告)号：CN115466932B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211280686.5
申请日：2022-10-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种磁控溅射靶材快换结构和方法。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本发明提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。
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公开(公告)号：CN116536650A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310511933.6
申请日：2023-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本申请涉及用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、往腔室通入H2和Ar并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S30、开启双电极等离子设备底部的电级射频电源；S40、循环S20～S30步骤多次；S50、通过惰性气体载入前驱体源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、往腔室通入O2，并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S80、通过惰性气体吹扫腔室；S90、循环S50～S80步骤直至薄膜达到目标厚度。可大幅减小表面缺陷，为后续原子层薄膜生长提供了良好界面基础。
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公开(公告)号：CN116536647A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310508229.5
申请日：2023-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本申请涉及实现低温高质量薄膜生长的薄膜及其沉积方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并将温度控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、通过惰性气体载入TMA源；S30、通过惰性气体吹扫腔室；S40、往腔室通入H2并打开远端射频；S50、开启双电极等离子设备的电级射频电源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、循环S20～S60步骤多次；S80、循环完毕后，往腔室通入O2；S90、通过惰性气体吹扫腔室；S100、循环S20～S90步骤直至薄膜达到目标厚度。有效减小了薄膜生长过程中产生的位阻效应和反应物残留问题。
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公开(公告)号：CN114664653B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210254276.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。
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