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公开(公告)号：CN112071780B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010927821.5
申请日：2020-09-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。
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公开(公告)号：CN114664648A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210254286.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种硅刻蚀方法。在刻蚀机中，利用RF电源生成钝化气等离子体并在以二氧化硅作掩膜的硅片表面附着钝化层；调节RF电源生成刻蚀气等离子体对硅片沿垂直方向进行刻蚀；通入清洁气体，清除硅片表面的残余生成物；循环上述步骤，直至达到刻蚀深度，则刻蚀结束。本发明首次实现C4F6在深硅刻蚀上的应用，并通过创新的三步循环刻蚀法，克服传统深硅刻蚀工艺中出现的侧壁钝化膜剥离，扇贝纹等问题；在步骤中使用新型电子气体，不仅可提高刻蚀效率，同时益于环保；通过设置清洁操作，能大大改善刻蚀陡直度及刻蚀底部形貌。
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公开(公告)号：CN114664653A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210254276.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115466932A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211280686.5
申请日：2022-10-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种磁控溅射靶材快换结构和方法。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本发明提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。
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公开(公告)号：CN114943486B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210856154.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及智能管理的领域，其具体地公开了一种基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法，其包括：学生管理模块，用于以对学生信息和账户进行管理；设备管理模块，用于以对磁控溅射设备的相关信息进行管理；预约设置模块，用于设置预约数据；订单管理模块用于对预约订单进行管理；子账户模块，用于对子账户进行设置和管理；手机端管理后台模块，用于对预约订单信息进行后台管理；身份识别模块，用于进行身份识别；设备预约模块，用于对设备预约进行流程管理；个人中心模块，用于查看用户的个人已提交的预约订单信息。
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公开(公告)号：CN114943486A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210856154.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及智能管理的领域，其具体地公开了一种基于磁控溅射设备使用效率最优的管理系统及其管理方法，其包括：学生管理模块，用于以对学生信息和账户进行管理；设备管理模块，用于以对磁控溅射设备的相关信息进行管理；预约设置模块，用于设置预约数据；订单管理模块用于对预约订单进行管理；子账户模块，用于对子账户进行设置和管理；手机端管理后台模块，用于对预约订单信息进行后台管理；身份识别模块，用于进行身份识别；设备预约模块，用于对设备预约进行流程管理；个人中心模块，用于查看用户的个人已提交的预约订单信息。
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公开(公告)号：CN108598232A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810054953.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
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公开(公告)号：CN114664653B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210254276.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。
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