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公开(公告)号：CN109682710B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910067908.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：检测悬臂梁、主芯片凹槽、具有观测孔的观测悬臂梁、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过检测悬臂梁的谐振用以检测位于检测悬臂梁上的待测样品的质量变化；主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间；TEM通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于观测悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现形貌变化及质量变化的间接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号：CN105866983B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610216678.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015 , H01L31/115 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
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公开(公告)号：CN105742443A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610187620.X
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体的硅基光源，所述硅基光源包括基底及形成于所述基底上的Ω阵列微纳结构；所述Ω阵列微纳结构包括至少两个Ω微纳结构单元；其中，所述Ω微纳结构单元包括：发光部；环绕包裹所述发光部部分表面的波导部，且所述波导部未覆盖所述发光部的出光面；环绕包裹所述波导部部分表面的金属层，用以在所述金属层及所述波导部界面上产生表面等离子体；所述金属层底部与所述基底相接触。本发明通过调控材料来调控本征热发光频带，通过集成一系列不同半径R的内层发光材料实现宽频热发光效率增强，并且可以实现光学模式峰位与本征热发光峰位共振使发光效率达到峰值。
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公开(公告)号：CN102798764B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110139419.1
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法，其包括步骤：1）在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）在待测介质中选择一个测量点，测量倏逝波相位的变化；并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
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公开(公告)号：CN102544660B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210009079.5
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于各向异性磁回旋媒质的可调控单向波导控制方法，包括以下步骤：将两块磁导率为张量的各向异性磁回旋媒质材料表面相接触，以形成磁畴壁，并确定好准备作为传输波导的磁畴壁的平面；对两块磁回旋媒质外加磁场，磁场方向为平行于磁畴壁且垂直于磁回旋媒质平面，且两块旋磁媒质外加磁场方向相反；根据外加磁场的大小，计算给出入射信号的单向模式频率范围；根据外加磁场方向，确定给出入射信号的单向模式的方向。本发明可以使电磁波从垂直去磁场方向从接触面的一端入射到另外一端，而相对入射的电磁波得到抑制，且在不需要辅助波导的情况下，使电磁波局域在接触面上，实现电磁波低损耗，宽频高效的传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103138685A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110386128.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种OFDM自适应前馈线性功率放大装置，包括功率放大模块，依据外部激励信号的变化对射频信号进行矢量调节以保证功放进行稳定的线性放大的自适应控制模块，依据预先设定的可调范围值对放大信号进行功率输出控制的数字ATT模块，以及对检测到反向功率值衰减处理后予以检波，并将该检波后的直流电压与预设的门限电压以对功率放大模块进行保护的驻波保护模块，以及线性功放控制模块。本发明对射频功率放大器要求有高的效率和最小的邻道干扰，而良好的线性传输性能充分利用频谱资源，可以在较宽的频带内有效的抑制非线性失真产物，更适合动态信道分配的需要，进而解决了高速无线TD信号中远距离信号传输及蜂窝基站信号存在盲区覆盖等问题。
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公开(公告)号：CN102798990A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210336563.9
申请日：2012-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种超常材料及其色散拓扑相变方法，所述超常材料包括：法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向交替重叠构成周期性层状结构；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向的厚度均小于选定的用以照射所述超常材料的电磁波的波长的1/30；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在y轴方向的长度均大于所述波长的10倍；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在z轴方向的宽度均大于所述波长的10倍。本发明提供的超常材料可以在外磁场调控下，实现从双曲介质到普通介质的转变，即色散拓扑相变；同时也可以实现可逆的相变，即在外磁场调控下，该超常材料也能实现从普通介质到双曲介质的转变。
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公开(公告)号：CN102798611A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110139404.5
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法，包括步骤：1）在预先给定频率范围的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找折射率已知并且折射率实部大于待测介质的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率范围的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）调节上述入射电磁波的功率，使之产生很小的脉冲，同时测量倏逝波的辐照度对该脉冲的响应时间；根据该脉冲响应时间来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
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公开(公告)号：CN102128953A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010583972.X
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成，每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端，外脚连接在外部支撑框架内侧面，整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构，同时具有一定的对称性，有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作，使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块，使器件具有高的分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN1179399C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN02112310.1
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。
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