-
公开(公告)号：CN102540475B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
-
公开(公告)号：CN101514484A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910046387.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面覆盖SiNx或者SiO2层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验和批量生产时采用。
-
公开(公告)号：CN101320686A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810040201.9
申请日：2008-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适合于批量生产时采用。
-
公开(公告)号：CN100373722C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510028755.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在1018cm-3高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×1017cm-3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×1017cm-3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。
-
公开(公告)号：CN1737195A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510028366.0
申请日：2005-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1731638A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/ GaInAs/AlInAs/ InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
-
公开(公告)号：CN1649230A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510023749.9
申请日：2005-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用，包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格的束源炉及其坩埚进行有效保护的系统以及相关部件的参数确定的规则。本发明提供的保护系统包括三个子系统，分别是用于断电或误操作状态下对束源炉进行短时间或缓慢降温的储能电源；对束源炉的工作状态进行自动切换和对蓄电池进行充电控制的充电控制以及作为充电电源的AC/DC变换器。它或用于各类分子束外延设备或适用于其他在断电及误操作状态下需要保证有关高温部件缓慢降温的系统。具有系统结构简单，高的可靠性及成本较低，接入方便，对原有系统无不良影响等特点。是一种普适的系统，具有很好的通用性。
-
公开(公告)号：CN1649108A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410093247.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/318 , H01L23/58
Abstract: 本发明涉及一种新型的抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法，其特征在于绝缘Si3Nx薄膜作为失效保护层材料及其抑制硫钝化失效的机制和在硫钝化层上淀积绝缘Si3Nx薄膜保护层的技术。本发明是在研究硫钝化失效的物理化学过程基础上在钝化的表面低温PECVD淀积Si3Nx有效地解决了硫钝化退化。本发明适用于提高化合物半导体器件性能。
-
公开(公告)号：CN1422978A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151295.7
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15－0.25mm,间距为2－3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条放进狭缝里即可固定。由于狭缝宽度大于解理条厚度而小于解理条宽度,同时采用一种不锈钢板下设有网格的方法,保证解理条从狭缝里掉不下来,所以解理条装在狭缝里始终位于竖立状态,并且端面保持水平朝下方向。由于一个夹具上有多条狭缝,所以由一个夹具一次可以装配好多解理条,并且解理条装卸过程非常容易。另外也很方便实施两个腔面蒸镀,本发明提供的非接触式固定的夹具结构简单、操作简便、安全可靠、加工成本低、使用寿命长、非常适合于批量生产。
-
公开(公告)号：CN102593718B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.052 seconds)
