电容式微加速度传感器及其单片制作方法

    公开(公告)号:CN102721829B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210236528.X

    申请日:2012-07-09

    Abstract: 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法,所述加速度传感器为三明治结构,其制作方法不需要键合工艺,直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构,且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁,无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构,使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后,能完整保留,器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺,避免了繁琐的键合工艺,降低了制作工艺的难度,提高了工艺效率和可靠性。同时,该方法极大的降低了制造成本,提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。

    电容式微加速度传感器及其单片制作方法

    公开(公告)号:CN102721829A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210236528.X

    申请日:2012-07-09

    Abstract: 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法,所述加速度传感器为三明治结构,其制作方法不需要键合工艺,直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构,且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁,无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构,使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后,能完整保留,器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺,避免了繁琐的键合工艺,降低了制作工艺的难度,提高了工艺效率和可靠性。同时,该方法极大的降低了制造成本,提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。

    双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN102642801B

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201210127069.1

    申请日:2012-04-27

    Abstract: 本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法,属于微电子机械系统领域,该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域,然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀,悬臂梁的(111)面作为腐蚀终止面,自动终止硅悬臂梁的腐蚀,最终形成双面平行对称梁质量块结构。该制备方法工艺简单,可以对双面平行对称梁质量块结构尺寸进行精确控制,使得梁质量块结构的制造成品率大大提高。本发明制备的器件在法向具有高度对称性,提高了器件抗侧向冲击和扭转冲击的能力,降低了交叉灵敏度,可应用于多种MEMS器件的结构中,如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺等。

    对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器

    公开(公告)号:CN102128953A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010583972.X

    申请日:2010-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成,每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端,外脚连接在外部支撑框架内侧面,整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构,同时具有一定的对称性,有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作,使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块,使器件具有高的分辨率和灵敏度。

    对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器

    公开(公告)号:CN102128953B

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201010583972.X

    申请日:2010-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成,每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端,外脚连接在外部支撑框架内侧面,整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构,同时具有一定的对称性,有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作,使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块,使器件具有高的分辨率和灵敏度。

    双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN102642801A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210127069.1

    申请日:2012-04-27

    Abstract: 本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法,属于微电子机械系统领域,该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域,然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀,悬臂梁的(111)面作为腐蚀终止面,自动终止硅悬臂梁的腐蚀,最终形成双面平行对称梁质量块结构。该制备方法工艺简单,可以对双面平行对称梁质量块结构尺寸进行精确控制,使得梁质量块结构的制造成品率大大提高。本发明制备的器件在法向具有高度对称性,提高了器件抗侧向冲击和扭转冲击的能力,降低了交叉灵敏度,可应用于多种MEMS器件的结构中,如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺等。

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