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公开(公告)号：CN105575773A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511022279.4
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02392 , C30B25/183 , C30B29/10 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种InGaAsBi高迁移率材料制备方法及结构。其特征在于采用气态源分子束外延(GSMBE)制备材料。在半绝缘InP(100)衬底上外延生长InGaAsBi材料结构。本发明的创新点在于利用GSMBE在材料生长方面的优势，减少InGaAsBi高电子迁移率材料生长过程中界面粗糙容易引入合金无序。我们设计采用间断生长的方法，在InGaAs缓冲层和InGaAsBi生长时，分别采用间断10秒和20秒的方法，保证膜生长方式分为台阶流动式生长，避免形成二维形核式生长。InGaAsBi高电子迁移率材料外延方法比较多，可以用MBE，MOCVD等等，并且材料结构简单成熟，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN101514484A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910046387.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面覆盖SiNx或者SiO2层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验和批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN101320686A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810040201.9
申请日：2008-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适合于批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN101220466A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172321.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C14/32 , C23C14/34 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N2气氛下经热退火后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简单易行，仅需要沉积或溅射一层薄薄的金属W层，适合于科学实验和批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN1737195A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510028366.0
申请日：2005-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649108A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410093247.9
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/318 , H01L23/58
Abstract: 本发明涉及一种新型的抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法，其特征在于绝缘Si3Nx薄膜作为失效保护层材料及其抑制硫钝化失效的机制和在硫钝化层上淀积绝缘Si3Nx薄膜保护层的技术。本发明是在研究硫钝化失效的物理化学过程基础上在钝化的表面低温PECVD淀积Si3Nx有效地解决了硫钝化退化。本发明适用于提高化合物半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN1422978A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151295.7
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15－0.25mm,间距为2－3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条放进狭缝里即可固定。由于狭缝宽度大于解理条厚度而小于解理条宽度,同时采用一种不锈钢板下设有网格的方法,保证解理条从狭缝里掉不下来,所以解理条装在狭缝里始终位于竖立状态,并且端面保持水平朝下方向。由于一个夹具上有多条狭缝,所以由一个夹具一次可以装配好多解理条,并且解理条装卸过程非常容易。另外也很方便实施两个腔面蒸镀,本发明提供的非接触式固定的夹具结构简单、操作简便、安全可靠、加工成本低、使用寿命长、非常适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN105633138A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511024119.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/66462
Abstract: 本发明涉及一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法。其特征在于所述的结构依次由半绝缘单抛的GaAs衬底、缓冲层、集电区、高掺集电区、隔离层、基区、隔离层、发射区、盖层、渐变盖层和盖层组成。本发明的创新点在于为了解决铍(Be)作为基区P型掺杂剂在高温时扩散的问题，在结构设计上采用了在基区两侧各插入一层GaAs隔离(Spacer)层的，从而限制Be在高温时的扩散。减少基区厚度虽然会提高器件的频率特性，但是容易击穿。经综合比较选区基区材料设计为60nm的优化设计。在掺杂方面，高的掺杂浓度会提高频率，但是同样会降低击穿电压，经比较，基区掺杂浓度为3E19/cm3的优化设计。
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公开(公告)号：CN102779846A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110123487.9
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为∶（1-），且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中，，。该双异质结双极晶体管结构可以在降低发射结导带势垒、缓解阻挡电子注入问题的同时，在基区形成从发射结到集电结的内建电势差，有效减小电子在基区的渡越时间，有利于提高器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN1828837B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200610023732.8
申请日：2006-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N2气氛下升温750-850℃，通NH3保护模板的GaN层，于1000-1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩膜的工艺。
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