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公开(公告)号：CN116153933A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310263055.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
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公开(公告)号：CN115995682A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310172708.4
申请日：2023-02-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型Vivaldi天线，属于天线技术领域。本发明通过基板渐变槽结构并加载3DGP，解决了二维结构天线增益低，方向性差的问题，相比于传统的Vivaldi天线，增益提高了1.28dB，相对于现有增益提升技术，本发明通过切割介质基板和设置引向器，无需涉及复杂的制备工艺流程，且不用额外增加体积较大的元器件，不会增加Vivaldi天线的尺寸，因此本发明在不增加天线尺寸、降低制备复杂度的同时，可以有效地提升增益，可以广泛地应用于小型家电的应用场景中。
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公开(公告)号：CN115219578A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210861597.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种检测新冠病毒的GaN传感器及检测方法，可以用于日常生活中较为即时的新冠病毒检测。该GaN传感器包括栅极区域、源极、漏极、铝镓氮层、氮化镓层、缓冲层，衬底层。而该检测器核心部分是在栅极区域加上与新冠病毒S蛋白能进行吸附的有机触媒层，通过S蛋白与触媒的吸附引起的栅极电位变化，进而控制流过晶体管的电流达到检测新冠病毒的目的。本发明对于日常的核酸检测提供了新思路，并能通过流过晶体管的电流大小直观判断新冠病毒的浓度大小。
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公开(公告)号：CN119392272A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411482214.7
申请日：2024-10-23
Applicant: 江南大学
IPC: C25B9/00 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/65 , C25B11/052 , C25B11/087 , H02J50/20 , H02J50/27 , H02J50/23 , H02J50/40 , H02S40/30
Abstract: 本发明公开了一种无源无线耦合光电解水产氢系统，包括发射装置、接收装置和电解装置；发射装置包括商用太阳能电池，用于提供电能；接收装置包括整流天线，由整流器和天线组成，其中整流器是采由肖特基二极管，即微纳加工的Si基GaN器件，天线则是采用PCB和陶瓷制备；电解装置包括电解槽、光电阴极、阳极和电解液；其中光电阴极采用p‑Si作为基底，背电极为磁控溅射的Al层，正面为均匀分布的微米柱阵列，表面负载有MoS2助催化层。本发明提出将光电阴极与无线能量传输系统耦合搭建，以无线供电的方式替代传统电源，并在前端将太阳能转变为氢能源，实现远距离的新型能源的生产，从而拓宽了新型氢能源的应用前景。
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公开(公告)号：CN118538819A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410639654.2
申请日：2024-05-22
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种三维结构单晶金刚石紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器解决了传统平面结构和现有三维结构金刚石紫外探测器载流子收集效率低的问题，从而提高了器件的响应度，提升了金刚石紫外探测器的性能和应用前景。该探测器的具体结构为，由下至上层叠设置的p型单晶金刚石层衬底、n型单晶金刚石层和i型单晶金刚石条；在i型单晶金刚石条之间的沟槽区域设置叉指形状的正极金属电极和负极金属电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118112891A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410198514.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种在绝缘衬底使用低电压实现电子束光刻窄线条的方法，属于半导体器件及集成电路制造工艺技术领域。本发明利用电子束光刻技术与镀内、外层导电层的技术手段结合以制备纳米尺度的精细图案，不仅能够通过外层导电层的设置防止电荷积累的情况发生，而且还能够通过内层导电层的设置使得电子束易于穿透导电层达到电子束光刻胶从而防止图形漂移现象出现，提高了样品的导电性，同时也使得需求电压大大降低。
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公开(公告)号：CN118032906A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410224394.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓微流控芯片的pH值检测装置，属于分析检测技术领域。本发明构建包含本征GaN层、本征AlGaN层的氮化镓微流控芯片，通过设置电极和构造微通道，利用将待测物的化学信号直接转变为电信号的方式来检测pH值，而且其检测灵敏度不会因微通道尺寸的小型化而被降低。采用凹槽结构大幅提升了pH传感器的电流灵敏度和响应速度，能实现实时动态检测。
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公开(公告)号：CN115985970A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN115274838A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210905165.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法，属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题，扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6)，该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5)；并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7)；在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8)，该金属场板层采用结终端场板结构，本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN115144451A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210924661.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/543 , G01N33/574 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于检测mi‑RNA的探针、GaN传感器及检测方法，GaN传感器的栅极上设置有mi‑RNA探针；mi‑RNA的检测方法包括如下步骤，制备GaN传感器；根据GaN传感器电学参数设置源极和漏极电压；配置不同目标mi‑RNA浓度的缓冲液，将GaN传感器插入缓冲液中测试，确定标准曲线；将GaN传感器插入待测溶液，对比检测待测溶液时输出电流与标准曲线输出电流的大小，根据两者电流的大小判断待测溶液中是否有目标mi‑RNA，并通过具体电流值得到目标mi‑RNA的浓度。本发明使用mi‑RNA探针并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕mi‑RNA探针和目标mi‑RNA杂交产生的栅极电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对测量准确性的影响。
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