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公开(公告)号:CN104261867A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410489556.1
申请日:2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法,包括有以下步骤:1)碳化硅素胚的成型;2)碳化硅膜层的涂覆;3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结。本发明的有益效果在于:由于碳化硅相比氧化铝、堇青石、莫来石等具有良好的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能,本发明提出由细颗粒的碳化硅作为粘结剂,将大颗粒的碳化硅作为骨料,复合造孔剂等材料,形成一种纯碳化硅多孔陶瓷膜材料,必将大幅提升膜材料的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能,极大的拓宽了无机陶瓷膜的使用范围和在严酷条件下的使用寿命,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN102351221B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201110215701.3
申请日:2011-07-29
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01F5/22
Abstract: 本发明涉及一种利用可酸溶出镁离子性原料制备氢氧化镁的方法,首先将硝酸钙或氯化钙配制成0.1~4mol/L的溶液,然后将浓硫酸缓慢加入到溶液中,再进行过滤,滤渣经洗涤得生石膏,滤液进入循环过程。本发明具有以下优点:1)成本低,氧化钙作为碱化剂,有机胺作为沉淀剂循环使用,避免了氧化钙法的缺点,同时胺循环量小,沉淀效率高,降低了生产原料成本;2)能耗低,同时也避免了氨挥发对环境的污染;3)操作费用低,该方法用有机胺沉淀氢氧化镁,使氢氧化镁在生成时吸附一定的有机胺,从而具有疏水特性,在过滤时,过滤速度非常快,过滤速度大于0.01L/s·m2,且易洗涤,降低了工艺的操作费用。
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公开(公告)号:CN102659361A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210121549.7
申请日:2012-04-24
Applicant: 武汉工程大学 , 南京梅山冶金发展有限公司 , 武汉铂瑞科技有限公司
CPC classification number: Y02W30/93
Abstract: 本发明涉及铁矿尾矿处理技术领域,具体涉及一种利用铁矿尾矿制成的加气混凝土砌块及其制备方法。一种铁矿尾矿加气混凝土砌块,其特征在于它由活化的铁矿尾矿、石灰、普通硅酸盐水泥、石膏、铝粉和水制备而成,各原料所占重量百分数为:活化的铁矿尾矿60~65%、石灰17%、普通硅酸盐水泥15~20%、石膏3%,活化的铁矿尾矿、石灰、普通硅酸盐水泥和石膏所占重量百分数之和为100%;铝粉的加入量为活化的铁矿尾矿、石灰、普通硅酸盐水泥和石膏总重量的0.08%,水料比:0.6~0.65。本发明解决了目前以铁矿尾矿为主要原料制备建筑材料水泥用量大、成本高,以及再次回收铁精矿带来的二次污染的问题。
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公开(公告)号:CN110606722B
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN201910942389.4
申请日:2019-09-30
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B28/30
Abstract: 本发明一种建筑墙板及其制备方法,包含以下质量百分比的原料:轻烧磷尾矿40%~67%、磨细苦盐20%~25%、轻烧氧化镁0%~10%、活性填料0%~15%、木质纤维0%~5%、缓凝剂0.4%~0.8%、减水剂0.30%~0.70%以及水3%‑8%,所述轻烧磷尾矿由高镁磷尾矿低温煅烧得到,主要成分为氧化镁和碳酸钙。根据本发明的方法,可大量利用固体废物高镁磷尾矿制备建筑墙板,且所述建筑墙板由轻烧磷尾矿、硫酸镁、水等主要原料经拌和、成型、养护而成,工艺简单,成本低。
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公开(公告)号:CN110952132B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201911310050.9
申请日:2019-12-18
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种利用化学石膏制备硫酸钙晶须的方法及由其制备的硫酸钙晶须,包括如下步骤:1)浇注成型:将化学石膏、半水石膏晶须和水拌和均匀后浇注模具中,静置凝固得到石膏块,脱模得到待蒸压石膏块,所述化学石膏、半水石膏晶须和水的质量比为(41‑61):(11~23):(29~35);2)高温蒸压处理:将得到的待蒸压石膏块堆码后,在135~200℃下,高温蒸压2~10h;3)后处理:将蒸压处理后的石膏块在60~200℃的热空气下烘干、碾粉得到硫酸钙晶须。基于申请的方法,可用以大宗消耗化学石膏并制备得到硫酸钙晶须,且工艺简单、成本低、绿色环保。
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公开(公告)号:CN108686524A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810433285.6
申请日:2018-05-08
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: B01D71/024 , B01D67/0067 , B01D69/02 , B01D69/08 , B01D71/02
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶须补强增韧的碳化硅陶瓷中空纤维膜的制备方法,首先将聚醚砜、N‑甲基‑吡咯烷酮、碳化硅晶须、碳化硅粉体按照一定比例混合球磨成铸膜浆料,然后挤出纺丝得到生坯,最后利用相转化/高温烧结技术得到了碳化硅晶须增韧补强的碳化硅陶瓷中空纤维膜成品。由于碳化硅晶须的拔出桥连和裂纹转向两种补强增韧机制的共同作用,使得该中空纤维膜成品不但具有自支撑非对称结构而且强度高、装填密度高、渗透通量大、抗热震性能好,可广泛用于高温气固分离领域。
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公开(公告)号:CN104229888B
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201410484483.7
申请日:2014-09-19
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明涉及微波等离子体改性二氧化钒粉体的制备方法,包括以下步骤:将M型二氧化钒粉体放入微波等离子体装置腔内,进行等离子体表面改性,其中,微波等离子体为甲烷和氮气,控制微波输入功率为150W~200W,腔内压强为1.5KPa~2KPa,改性时间为30min~90min。本发明的主要优点:通过等离子改性技术,制备一种以掺碳改性层为表面层、具有核壳结构的VO2纳米材料,充分利用改性层的相变诱导效应,实现VO2纳米粉体的低温相变,从而获得优异的热致变色性能。这种可根据温度调节太阳光透过率的智能玻璃,与低辐射、热反射玻璃、电致变色、光致变色等节能镀膜玻璃相比,具有跨地区、多季节适应性和更高的节能性价比。
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公开(公告)号:CN104193395B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410410783.0
申请日:2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域,具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括有以下步骤:1)多孔碳化硅素胚的比例设计;2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型;3)多孔碳化硅陶瓷的烧制,得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于:通过组成比例设计,即控制膨胀石墨、金属硅粉、有机粘接剂的比例,使反应产物主要为碳化硅;此外,控制三者混合后的密度,可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制,可制备出孔隙在40%-80%之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品,具有孔隙率可控,孔隙均匀的特点。
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公开(公告)号:CN104174298B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410412804.2
申请日:2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域,具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法,包括有以下步骤:1)碳化硅陶瓷支撑体制备;2)碳化硅中间层的制备;3)碳化硅膜层的制备,最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。本发明的有益效果在于:制得的碳化硅陶瓷膜材料,连通孔隙率高,气孔分布呈梯度,强度高、纯水通量高、耐强酸碱,不同层次界面粘结强度高,操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料,抗折强度>30MPa,纯水通量大于5m3/(m2h),pH值耐受范围0-14。
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公开(公告)号:CN104261868A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410491594.0
申请日:2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法,包括有以下步骤:1)素胚的成型;2)膜层的涂覆;3)烧结。本发明的有益效果在于:本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点,制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料,在高温使用环境,比如高温气固分离、高温液固分离、高温催化载体等方面具有广阔的应用前景。
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