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公开(公告)号：CN111533572B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010382303.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/10 , C04B35/565 , C04B35/634 , B01D65/00 , B01D71/02
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷支撑体的制备方法，首先以混合碳化硅粉体、二氧化硅粉体、发泡剂、分散剂和热固型聚合物乳液为主要原料，混合均匀得高固含碳化硅浆料，再经浇筑、无压烧结成型而成；其中混合碳化硅粉体由粗粒径碳化硅粉体和细粒径碳化硅粉体混合而成。所述多孔碳化硅陶瓷支撑体，具有强度高、耐高温和耐酸碱腐蚀等优点，可根据工艺需求设计不同规格、不同形状结构的分离膜材料的陶瓷基体，也可作为大颗粒物质的分离过滤材料单独使用；且涉及的制备方法简单、工艺控制灵活、成本较低，成型工艺周期短，具有重要的应用推广价值。
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公开(公告)号：CN111003723B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911310109.4
申请日：2019-12-18
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种利用化学石膏制备α‑半水石膏的方法及由其制备得到的α‑半水石膏，制备方法包括如下步骤：准备如下重量百分比的原料：化学石膏39‑60％，α‑半水石膏10～22％，生石灰和/或熟石灰0～5％，水30～38％；在化学石膏中加入生石灰或熟石灰，搅拌均匀，陈放3‑5天得到预处理化学石膏：将预处理化学石膏、α‑半水石膏和水拌和均匀后浇注模具中，静置凝固得到石膏块，脱模得到待蒸压石膏块；将得到的待蒸压石膏块堆码后在135～165℃下，高温蒸压2～10h；将蒸压处理后的石膏块在80～100℃的热空气下烘干、碾粉得到产物α‑半水石膏。基于本发明的方法，可用以大宗消耗化学石膏并制备得到α‑半水石膏，制备过程节能环保，制备得到的α‑半水石膏的强度高。
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公开(公告)号：CN111470869A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010383135.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , B01D71/02 , B01D67/00 , B01D69/02
Abstract: 本发明公开了一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法，首先制备出固含量为58～70voL％、粘度为800～1000mPa·s的碳化硅浆料，然后采用喷涂的方法将该浆料均匀的喷覆在支撑体上经过一定烧结工序制得分离膜；本发明所述制备工艺可有效避免分离膜成型后烧结过程中的开裂等问题，显著提升碳化硅分离膜的强度、成品率和耐久性能，且涉及的制备方法简单，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN111377632A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010312151.6
申请日：2020-04-20
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种磷石膏处理剂、磷石膏处理方法、磷石膏填充材料制备方法以及磷石膏填充材料，处理剂包括以下质量百分比的组分：煅烧磷尾矿27.7％～96.7％，硫酸铵0.3％～1％，固废微粉3％～68％，碱性激活剂0～3.5％，煅烧磷尾矿为高镁磷尾矿的煅烧产物。基于本发明的磷石膏处理剂，既可实现磷石膏无害化处理，又可实现固废高镁磷尾矿的有效利用，同时保证磷石膏作为工程填充材料时的强度需求。
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公开(公告)号：CN110606722A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910942389.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B28/30
Abstract: 本发明一种建筑墙板及其制备方法，包含以下质量百分比的原料：轻烧磷尾矿40％～67％、磨细苦盐20％～25％、轻烧氧化镁0％～10％、活性填料0％～15％、木质纤维0％～5％、缓凝剂0.4％～0.8％、减水剂0.30％～0.70％以及水3％-8％，所述轻烧磷尾矿由高镁磷尾矿低温煅烧得到，主要成分为氧化镁和碳酸钙。根据本发明的方法，可大量利用固体废物高镁磷尾矿制备建筑墙板，且所述建筑墙板由轻烧磷尾矿、硫酸镁、水等主要原料经拌和、成型、养护而成，工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107129006A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710507897.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅陶瓷膜的油水分离方法，该方法首先将含油废水超声分散，然后调节其pH至1‑13之间，接着以1个单位为步长测定不同pH值下含油废水的zeta电位和粒度，根据zeta电位值变化的拐点和粒度大小选取合适孔径的碳化硅陶瓷膜进行过滤。与现有技术相比，本发明通过对废水进行预处理(超声分散和调pH)，改变了颗粒表面的电荷量，使其zeta电位发生变化，降低了废水中油滴的稳定性，促进其团聚，达到了提高过滤效率的目的。
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公开(公告)号：CN104030357B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410305359.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种有机溶胶凝胶制备二氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：1)以预先处理过的石英玻璃为基底，采用旋涂法将二氧化钒前驱液在基底上镀膜，通过控制旋涂转速、旋涂层数，制备不同厚度的凝胶薄膜，其中每层旋涂结束后，干燥；2)预先在空气下热处理凝胶薄膜使PVP分解：热处理温度100℃～300℃、热处理时间2～4h，然后在管式电阻炉中，N2气氛下热处理制备二氧化钒薄膜：热处理温度500℃～600℃、热处理时间30min～60min。本发明通过控制涂膜工艺、热处理温度制度控制，最终制得二氧化钒薄膜，该方法具有操作简单、生产效率高，膜与基材附着力高的特点。
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公开(公告)号：CN101885477A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010227636.1
申请日：2010-07-15
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明涉及一种氮化硼纳米管合成装置，包括有：A)退火反应炉、B)供气装置、C)抽气装置和D)气体循环和尾气处理装置，其中退火反应炉与供气装置相连接，抽气装置与退火反应炉相连，气体循环和尾气处理装置与供气装置相连接。本发明的主要优点在于：(1)可用于批量制备氮化硼纳米管；(2)操作方便，适合工业生产应用；(3)提高氮化硼纳米管产率；(4)确保氮化硼纳米管合成高产率和较大的制备能力，还具有高度热工控制集成，具有节能降耗和操作方便的特点。
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公开(公告)号：CN119390450A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502716.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B38/06 , C04B38/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅陶瓷制备技术领域，具体公开了一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、将淀粉、硅源和纯水搅拌均匀，加热得到湿凝胶，将湿凝胶冷冻干燥，得干凝胶，将干凝胶球磨后得到含硅淀粉复合干凝胶造孔剂；S2、将干凝胶造孔剂与碳化硅粉体混料后，干压成型制备生坯，生坯在氩气气氛下烧结，得多孔碳化硅陶瓷。因含硅淀粉复合干凝胶具有轻质、多孔且硬度较高等特性，仅需要少量的造孔剂就可以获得较高的孔隙率，在成型过程中可较好地保持样品的形状和孔隙结构，不易发生变形或塌陷，从而提高材料的孔隙率。通过优化造孔剂的用量，可有效提高多孔碳化硅陶瓷的孔隙率，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104261867B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410489556.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅素胚的成型；2)碳化硅膜层的涂覆；3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结。本发明的有益效果在于：由于碳化硅相比氧化铝、堇青石、莫来石等具有良好的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，本发明提出由细颗粒的碳化硅作为粘结剂，将大颗粒的碳化硅作为骨料，复合造孔剂等材料，形成一种纯碳化硅多孔陶瓷膜材料，必将大幅提升膜材料的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，极大的拓宽了无机陶瓷膜的使用范围和在严酷条件下的使用寿命，具有广阔的应用前景。
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