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公开(公告)号：CN110113026A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910429665.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/15
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种二维兰姆波谐振器，压电层的上下两面布置第一电极阵列、第二电极阵列，第一电极阵列、第二电极阵列分别包括沿第一方向、第二方向排列的多条正电极列、第一负电极列，且正电极列和负电极列交替排布；正电极列包括多个正电极，相邻的两个正电极通过电桥连接，负电极列包括多个负电极，相邻的两个负电极通过电桥连接；第一方向和第二方向互相垂直；第一电极阵列中的任意一个正电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个负电极，第一电极阵列中的任意一个负电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个正电极。本发明提供的二维兰姆波谐振器可以提高谐振器机电耦合系数、减少寄生模式。
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公开(公告)号：CN112039478A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010867930.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器，包括压电层和设置于所述压电层表面的电极阵列，所述电极阵列中包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块的尺寸大于第二电极块。本发明使谐振器的有效机电耦合系数以及品质因子均得到了很大的提高，进而提高了FOM值。
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公开(公告)号：CN111174951A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010008412.5
申请日：2020-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种压电式传感器及其制备方法，所述压电式传感器包括：基板、多个压电悬臂梁、固定柱；基板带有多个空腔；压电悬臂梁为双晶片结构，或者由单晶片结构和支撑层组成，压电悬臂梁的自由端面积大于固定端面积；固定柱设置在基板中心用于固定压电悬臂梁。本发明提供的压电式传感器通过提出一种新的压电悬臂梁的结构形式，结合带有特定形状和深度空腔的衬底，可显著提升传感器灵敏度等性能。所述压电式传感器的制备方法，包括：带有空腔衬底的加工，衬底之上压电悬臂梁中支撑层和压电叠层的沉积和刻蚀。所述制备方法，工艺简单，兼容性强，适用于包含各类压电材料和各类衬底的压电式传感器加工。
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公开(公告)号：CN109489843A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811270252.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112564666A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011409732.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及谐振器技术领域，具体涉及一种中空型超高频谐振器，包括衬底、压电层和电极，压电层置于衬底之上；压电层的上表面部分或全部刻蚀形成环形压电层，第一、第二电极沉积在压电层上。该超高频谐振器的压电层上部或全部被刻蚀去一部分，成为环形压电层，使得在压电层中的应力得到释放，也使得电极的相对金属率得到提高，使压电层的压电性能得到更好的表现，使得压电层产生更强的耦合效应，从而使得谐振器的机电耦合系数增加，并能去除阻抗曲线中部分杂波。
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公开(公告)号：CN109474252B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811271504.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在SiC/Diamond薄膜层上，并且位于贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点，可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波，并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼，减少声波能量损耗，降低薄膜体声波谐振器的插入损耗，获得高的Q值和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110880924A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911265024.9
申请日：2019-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括位于中间区域的谐振器，以及谐振器周围的叉指结构。谐振器周围的叉指结构设置于谐振器对应的一条边或多条边上；叉指结构与谐振器对应边垂直，或与谐振器对应边成一定角度。谐振器周围的叉指结构的末端为直线，或弧线，或直线和弧线的混合结构；叉指结构的宽度、长度、数量、间距可调。该谐振器能够在不改变各层材料厚度的条件下调节薄膜体声波谐振器的谐振频率，实现在一片晶圆上制造不同工作频率的谐振器。
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公开(公告)号：CN110880922A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911127186.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器机构，该种谐振器仅在压电材料上部布置有二维方向分布的正负电极，电极上部有桥状结构，电极间距大于四个波长。此种谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110868188A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911164874.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/125
Abstract: 本发明公开了一种基于环形电极的超高频谐振器结构，具体指一种大带宽且可以有效抑制伪模式和其他模态的超高频谐振器结构；包括压电材料、电极和连接线，在压电材料表面沉积形成多圈结构的环形电极，相邻两圈电极间距是大于电极宽度至少一个波长的距离，所述电极间距是波长的倍数关系，电极通过连接线引出。本发明有效提高了谐振器的机电耦合效率，抑制了伪模态和其他阶模态，为实现超高频、大带宽的滤波器等射频器件提供了高性能的基础元件。
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