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公开(公告)号：CN116673071A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310649497.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J31/26 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明光催化材料技术领域，公开一种水稳定性的钙钛矿CsPbI3@PVP光催化剂及其制备方法和应用，所述制备方法为以亲水性的聚合物PVP作为封装材料，将CsPbI3封装于亲水性的聚合物PVP中，即获得水稳定性的钙钛矿CsPbI3@PVP光催化剂。本发明通过将CsPbI3封装在亲水性的聚合物PVP中，成功的实现CsPbI3在水中进行光催化降解。将直接带隙半导体CsPbI3用于高效的光催化降解实验中，首次将钙钛矿降解染料效率提高到20分钟降解100％的罗丹明b。
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公开(公告)号：CN114685314A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210311124.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C07C257/12
Abstract: 本发明公开了一种稳态α相FAPbI3的制造工艺。本发明中，将其放置于高温空气环境下10分钟即可获得稳定性极好的α‑FAPbI3，之后对其进行包装保存即可完成稳态α相FAPbI3的制造过程，步骤S7中，高温空气环境的温度设置为80℃，将退火温度由120℃改为80℃，这一举措不仅仅节约了制造流程中浪费的能量减少了能耗，还加强了制造人员的工作安全性，使得该材料从实验室走向工业制造迈进了一大步，由于本工艺加强了其最终成品的可塑性使得该材料最终成品可为固定形状或者是碾成粉末以用于各个方向，而不仅仅只能制成薄膜用作电子/空穴传输层，大大增加了其使用范围。
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公开(公告)号：CN112624089B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110058110.3
申请日：2021-01-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/162 , C01G53/04 , B82Y40/00 , B22F9/22 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种合成螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结的方法，取纳米氧化镍颗粒放入管式炉内，在氢气氛围下加热至400℃并保持1小时获得镍纳米颗粒；镍纳米颗粒为催化剂，在管式炉中通入乙炔和氨气的混合气体，加热至450±25℃并保持4小时；关闭乙炔和氨气并通入氩气，在氩气氛围下自然冷却至室温得到螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结。本发明简单易行，可高效率获得螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结，且易于分散，为碳纳米管异质结家族增添了新的成员，在低维纯碳异质结的研究和应用方面都具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN112921380B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN112882351A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110077228.0
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法，其中，所述发射器包括发射电极层、图案电极层和基电极层。当基电极层接通电源时，图案电极层中的金属图案也会接通电源，发射电极层中的纳米电极便分为两部分：一部分与图案电极层中预设图案相接触，这些纳米电极也会接通电源；另一部分与预设图案不接触，由绝缘体隔开，这些纳米电极便不会接通电源；当电压达到开启电压时，接通电源的纳米电极便会发射电子，从而达到图案化电子光源的目的。本发明可以实现电子束无需掩模板，在经过加速、光阑、磁透镜等组件后，可形成缩小的电子光源像，投影在目标衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105567230B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610097245.X
申请日：2016-02-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K11/65 , B01J27/24 , C02F1/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种氮硫共掺石墨烯量子点及其制备方法，将前驱物芘与80‑100ml发烟硝酸混合后，回流搅拌，将芘晶粒表面进行硝基功能化处理，取出反应物后过滤除酸后加入适量的NaOH调节PH值，采用300W超声波分散处理后转移至聚四氟乙烯罐中水热反应，自然冷却后取出反应物过滤透析后干燥；将石墨烯量子点溶于适量去离子水中后，按照反应物比例加入适量的氨水混合均匀后，与适量的升华硫经搅拌后充分混合均匀，转移至聚四氟乙烯罐中，在180‑200℃下维持24h进行水热反应，冷却后取出反应物经过过滤透析后得到氮硫共掺石墨烯量子点。本发明合成过程简单，产率高，成品率高，环保无毒，杂质少，同时原料获取简单。
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公开(公告)号：CN105800595A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610096017.0
申请日：2016-02-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/80
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点及其制备方法，将前驱物芘与80?100ml发烟硝酸混合后，回流搅拌，将芘晶粒表面进行硝基功能化处理，取出反应物后过滤除酸后加入适量的NaOH调节PH值至7，采用300W超声波分散处理后转移至聚四氟乙烯罐中水热反应，自然冷却后取出反应物过滤透析后干燥得到石墨烯量子点；将石墨烯量子点与氨水经搅拌后充分混合均匀，转移至聚四氟乙烯罐中，进行高温高压水热反应，自然冷却后取出反应物经过过滤透析后得到具有优异光学性能的氮掺杂石墨烯量子点。本发明的合成过程步骤简单，产率高，成品率高，杂质少。本发明制备的石墨烯量子点，可稳定分散于水中，结构稳定，光学性能优异，表面富含基团。
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公开(公告)号：CN103253660B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310198188.0
申请日：2013-05-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种超高氮掺杂的石墨烯的制备方法。通过对吸附氨气的氧化石墨烯进行光照的方法来获得超高掺氮的石墨烯。未经过还原的氧化石墨烯在NH3（流量为10torr～30torr）氛围下，通过使用200nm～760nm的波长范围的光照，可以对氧化石墨烯进行掺杂得到掺氮的石墨烯。氮碳原子比最大能达到20%。光照时间在5～60分钟范围内，相应的氮碳原子比在6%～20%之间。本发明所述的高氮掺杂石墨烯可以通过光照时间和光照强度来调控掺氮的含量，以达到调控石墨烯带隙的效果。
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公开(公告)号：CN103253660A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310198188.0
申请日：2013-05-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种超高氮掺杂的石墨烯的制备方法。通过对吸附氨气的氧化石墨烯进行光照的方法来获得超高掺氮的石墨烯。未经过还原的氧化石墨烯在NH3（流量为10torr～30torr）氛围下，通过使用200nm～760nm的波长范围的光照，可以对氧化石墨烯进行掺杂得到掺氮的石墨烯。氮碳原子比最大能达到20%。光照时间在5～60分钟范围内，相应的氮碳原子比在6%～20%之间。本发明所述的高氮掺杂石墨烯可以通过光照时间和光照强度来调控掺氮的含量，以达到调控石墨烯带隙的效果。
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公开(公告)号：CN216094498U
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202122590826.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种钙钛矿薄膜涂布设备，包括放卷辊、收卷辊、输送辊、导向辊和薄膜本体，所述所述薄膜本体的两端分别绕设在放卷辊、收卷辊上，且薄膜本体张紧在输送辊与导向辊的外侧。在涂布薄膜时，设备会先对薄膜进行初步的加热，便于后续的干燥，V型结构的涂布件能使涂料涂布在薄膜上时能分布的更加均匀，在薄膜本体向右运动的过程中，增压槽的槽壁会对涂料施加一定的压力，从而使涂料更加均匀、致密的分布在薄膜本体上，喷气平板喷出的低流速气流会加快涂料的干燥，并且不会导致薄膜本体上的涂料不均匀，此外，本设备中涂料从涂布到干燥的过程均处于水平面上，不会因为重力而导致涂料分布变化。
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