抛光装置和衬底处理装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1914711A

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:CN200580003567.3

    申请日:2005-02-23

    CPC classification number: B24B37/02 B24B9/065 B24B21/002

    Abstract: 本发明涉及一种抛光装置,所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度,或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括:外壳(3),其用于在其中形成抛光室(2);旋转台(1),其用于保持和旋转衬底(W);抛光带供应机构(6),其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5);抛光头(35),其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上;液体供应装置(50),其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上;以及调节机构(16),其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。

    基片处理装置、基片处理方法和基片固定装置

    公开(公告)号:CN1833314A

    公开(公告)日:2006-09-13

    申请号:CN200480022684.X

    申请日:2004-07-28

    Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法,用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理,同时旋转基片,例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体,包括:基片固定器(11),用于固定和旋转基片(W);和固定器抽吸单元(24),用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括:多个压辊(20),与基片(W)的边缘部分接触,从而固定和旋转基片(W);和至少一个移动机构(303a),用于移动压辊(20)。

    基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:CN104551902A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410531307.4

    申请日:2014-10-10

    CPC classification number: B24B37/345 B24B37/005 B24B37/10 B24B37/30 B24B49/12

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,具有:第1基板承载台(10),其具有对基板(W)的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面(10a);第2基板承载台(20),其具有对基板(W)的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面(20a);承载台升降机构(51),其使第1基板保持面(10a)在比第2基板保持面(20a)高的上升位置与对比第2基板保持面(20a)低的下降位置之间移动;以及对准器(36、41、60),其对基板(W)的偏心量进行测定,使基板(W)的中心对准第2基板承载台(20)的轴心。采用本发明,可高精度地使晶片等基板的中心对准基板承载台的轴心,不会使基板挠曲地对基板进行处理。

    研磨装置、研磨方法、按压研磨具的按压部件

    公开(公告)号:CN102152206A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110007934.4

    申请日:2011-01-14

    CPC classification number: B24B9/065 B24B21/004 B24B37/27

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨方法、按压研磨具的按压部件,该研磨装置能够对基板的顶边缘部和/或底边缘部正确且均匀地进行研磨。研磨装置具备:旋转保持机构(3),将基板(W)水平地保持,并使该基板W旋转;和至少一个研磨头(30),与基板(W)的周缘部接近地配置。研磨头(30)具有沿着基板(W)的周向延伸的至少一个突起部(51a、51b),研磨头(30)通过突起部(51a、51b)从上方或下方将研磨带(23)的研磨面相对于基板(W)的周缘部进行按压。

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