处理方法及处理组件
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112091809A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202010986718.8

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1);以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。

    基板处理系统及基板处理方法

    公开(公告)号:CN106102996B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201580012332.4

    申请日:2015-03-04

    Inventor: 山口都章

    Abstract: 本发明涉及能够清洗处理液供给管线的基板处理系统及基板处理方法。基板处理系统具备:处理基板W的基板处理装置(1)以及清洗分配管线(93)和处理液供给管线(92)的冲洗装置。冲洗装置具备:清洗液供给管线(99),该清洗液供给管线(99)与分配管线(93)连接;排液管机构(101),该排液管机构(101)将通过分配管线(93)而被供给至处理液供给管线(92)的清洗液引导至液体废弃处(100);供给切换阀(104),该供给切换阀(104)允许处理液或清洗液的任一方在分配管线(93)内流动;以及动作控制部(30),该动作控制部(30)控制排液管机构(101)及供给切换阀(104)的动作。

    研磨装置、研磨方法及非易失性的存储介质

    公开(公告)号:CN117124230A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310607237.5

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨方法及非易失性的存储介质,其目的之一是,在研磨装置中,当将基板从基板保持部件释放时抑制基板的干燥。研磨装置具备:研磨台、基板保持部件、压力调节器、一个或多个释放喷嘴以及控制装置,该控制装置执行基板释放处理,基板释放处理为,控制压力调节器,在通过对压力室的全部区域加压而对弹性膜整体加压后,通过以使包含处于压力室的中心的区域的一个或多个中心侧的区域的压力高于其它的区域的压力的方式对压力室加压而对弹性膜的中心部加压,并且通过以将加压流体向弹性膜与基板的接触部位喷射的方式对一个或多个释放喷嘴进行控制,从而使基板从弹性膜释放。

    处理组件及处理方法
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112091809B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202010986718.8

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1);以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。

    研磨装置及处理方法
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105479324B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201510640665.3

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法,能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备:头,安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫;以及抛光臂(600‑1、600‑2),用于对头进行保持。头包含:安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502‑1)的第1抛光头(500‑1);以及安装有比第1抛光垫(502‑1)直径小的第2抛光垫(502‑2)的与第1抛光头(500‑1)不同的第2抛光头(500‑2)。

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