抛光组件及基板处理装置

    公开(公告)号:CN105390417B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201510532602.6

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明提供一种抛光组件及基板处理装置,用于对基板进行抛光处理,该抛光组件具有:抛光台,该抛光台用于支承所述基板且该抛光台能够旋转;以及安装有抛光垫的一个抛光头,该抛光头构成为能够旋转,且构成为能够向靠近所述抛光台的方向及从该抛光台远离的方向移动,所述抛光垫具备第1部位与第2部位,所述第2部位在所述第1部位的外侧以包围所述第1部位的方式配置,所述第1部位与所述第2部位的特性相互不同。通过该抛光组件及基板处理装置能够抑制基板的损伤地进行研磨,或者,能够高效率地清洗去除粘性较大的异物等。

    抛光方法和抛光装置以及用于控制抛光装置的程序

    公开(公告)号:CN101262981B

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN200680033601.6

    申请日:2006-09-12

    CPC classification number: B24B37/042 B24B37/345 B24B49/00

    Abstract: 一种抛光方法,其可在重新开始抛光之前使抛光表面达到适于抛光的最佳状态,而不需要使用假晶片等,因此省去了假晶片等的成本。该抛光方法包括:在抛光休止时间段中进行待机运行;在待机运行完成之后,通过在向抛光表面供给抛光液体的同时修整抛光表面进行抛光准备过程;以及在抛光准备过程完成之后开始工件的抛光。可基于待机运行的总运行时间或待机运行的总有效次数确定是否在待机运行完成之后进行抛光准备过程。

    液体供给装置及研磨装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115533756A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202210747523.7

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本发明是一种液体供给装置及研磨装置,液体供给装置具备:具有第1喷嘴的第1臂、具有第2喷嘴的第2臂、支承第1臂的基端部的第1旋转轴、支承第2臂的基端部的第2旋转轴、通过使第1旋转轴旋转而使第1臂从流体供给位置旋绕至退避位置的第1旋转驱动部、通过使第2旋转轴旋转而使第2臂从流体供给位置旋绕至退避位置的第2旋转驱动部、及控制部。第1旋转轴与第2旋转轴互相配置成同轴状。控制部能够互相独立地控制第1旋转驱动部的动作与第2旋转驱动部的动作。

    处理模块、处理装置及处理方法

    公开(公告)号:CN105428275A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510579253.3

    申请日:2015-09-11

    Abstract: 本发明的处理模块、处理装置及处理方法提高处理对象物的研磨处理面的研磨精度。上侧处理模块(300A)通过一边使直径小于晶圆(W)的研磨垫(502)与晶圆(W)接触,一边使晶圆(W)与研磨垫(502)相对运动来进行研磨处理。上侧处理模块(300A)包括对进行研磨处理之前或者研磨处理实施过程中的晶圆(W)的研磨处理面的状态进行检测的状态检测部(910),以及根据由状态检测部(910)检测到的研磨处理面的状态对晶圆(W)的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制的控制部(920)。

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