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公开(公告)号：CN105359269A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480037844.1
申请日：2014-06-16
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 河野宪司
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/45014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 半导体装置具备：具有开关元件和与所述开关元件电连接的多个焊盘(P)的半导体芯片(10、70、75、100a～100f)、以及与所述多个焊盘分别电连接的多个引线端子。所述多个引线端子具有用于控制所述开关元件的导通断开的控制端子(T1)、以及在开关元件处于导通状态下主电流流动的主端子(T2)。由流入所述控制端子的控制电流的电流路径中的寄生电感Lg、所述主电流的电流路径中的寄生电感Lo、以及这些电感所致的互感Ms规定的耦合系数k处于-3％≤k≤2％的范围。
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公开(公告)号：CN102479788B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110380839.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8611
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面。所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)。在所述IGBT区中形成IGBT元件(100)。在所述二极管区中形成二极管元件(20)。第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)位于所述元件区周围的所述第一表面侧上。第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。第二导电类型的第三半导体区(523)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。
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公开(公告)号：CN102867846A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210230031.7
申请日：2012-07-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/36 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有第一导电类型半导体衬底（10）、第二导电类型沟道区（13）和第二导电类型减薄区（18）。邻近于半导体衬底（10）的衬底表面（10a）形成沟道区（13）和减薄区（18）。此外，空穴阻挡层（19）形成在每个减薄区（18）中，以将减薄区（18）划分为邻近于衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于减薄区（18）的底部的第二部分（18b）。空穴阻挡层（19）的面密度小于或等于4.0×1012cm-2，以使得耗尽层能够穿通空穴阻挡层（19），由此限制击穿特性降低。
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公开(公告)号：CN101322248B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780000474.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L27/0664 , H01L29/861
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；IGBT单元；以及二极管单元。所述衬底包括第一表面上的第一层、相邻地设置在衬底的第二表面上的第二和第三层、以及夹在第一层与第二和第三层之间的第四层。第一层提供IGBT单元和二极管单元的漂移层。第二层提供IGBT单元的集电极层。第三层提供二极管单元的一个电极连接层。第一层的电阻率ρ1和厚度L1、第四层的电阻率ρ2和厚度L2、以及衬底平面上的第二层的最小宽度的一半W2具有如下关系：(ρ1/ρ2)×(L1.L2/W22)＜1.6。
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公开(公告)号：CN101794778A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010104031.3
申请日：2010-01-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L29/0834 , H01L29/0615 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H03K2217/0027 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括具有第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。主区域(11)和感测区域(13)形成于所述半导体衬底(10)的所述第一表面侧上。RC-IGBT形成于所述主区域(11)中，且用于传输与流经所述RC-IGBT的电流成比例的电流的感测元件(32)形成于所述感测区域(13)中。所述感测元件(32)的集电极区(24)和阴极区(25，27)形成于所述半导体衬底(10)的所述第二表面侧上。所述集电极区(24)在所述半导体衬底(10)的厚度方向上位于所述感测区域(13)的正下方。所述阴极区(25，27)在所述厚度方向上不是位于所述感测区域(13)的正下方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393914A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149208.4
申请日：2008-09-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L29/0623 , H01L29/7395 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(10、11)，其包括第一导电类型层(11)；多个IGBT区(1)，每个IGBT区(1)提供一个IGBT元件；以及多个二极管区(2)，每个二极管区(2)提供一个二极管元件。所述多个IGBT区和所述多个二极管区交替布置在所述衬底中。每个二极管区都包括具有第二导电类型的肖特基接触区(24)。所述肖特基接触区用于回收来自所述第一导电类型层的少数载流子。所述肖特基接触区设置在所述第一导体类型层的第一表面部分中，并且邻近所述IGBT区。
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公开(公告)号：CN113316837B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080009808.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 河野宪司
IPC: H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明进行以下工序：准备具有漂移层(13)的基板；通过进行外延生长，在漂移层(13)上构成沟道层(14)而形成半导体基板(10)；以半导体基板(10)的厚度方向为深度方向，通过进行离子注入，在沟道层(14)中形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的栅极层(15)，并且在沟道层(14)中的与栅极层(15)分离的位置，形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的体层(16)；通过进行离子注入，在沟道层部分，形成以与栅极层(15)分离的状态与栅极层(15)对置、并被维持为与栅极层(15)不同的电位的屏蔽层(18)。(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的(56)对比文件JP 2005005385 A,2005.01.06CN 107431091 A,2017.12.01JP 2013093482 A,2013.05.16JP 2003309262 A,2003.10.31JP 2008282878 A,2008.11.20JP 2005203395 A,2005.07.28US 2017018637 A1,2017.01.19CN 102859696 A,2013.01.02Dipti Guptaa,b,*, YongtaekHongb.Understanding the effect ofsemiconductor thickness on devicecharacteristics in organic thin filmtransistors by way of two-dimensionalsimulations.Organic Electronics.2011,全文.杨同同;陶永洪;杨晓磊;黄润华;柏松.12kV4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现.固体电子学研究与进展.2018,(05),全文.刘涛;陈刚;黄润华;柏松;陶永洪;汪玲;刘奥;李赟;赵志飞.3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造.固体电子学研究与进展.2016,(03),全文.李俊楠;战可涛.槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析.北京化工大学学报(自然科学版).2011,(06),全文.
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公开(公告)号：CN115485856A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180029678.0
申请日：2021-04-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 河野宪司
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 具备：第1导电型的漂移层(212)；第2导电型的沟道层(213)，配置在漂移层(212)上；沟槽栅构造，具有配置在以将沟道层(213)贯通而达到漂移层(212)的方式形成的沟槽(214)的壁面上的栅极绝缘膜(215)和配置在栅极绝缘膜(215)上的栅极电极(23)；第1导电型的源极层(216)，在沟道层(213)的表层部中以与沟槽(214)相接的方式形成，杂质浓度比漂移层(212)高；以及第1导电型的漏极层(211)，隔着漂移层(212)而配置在与沟道层(213)相反的一侧。并且，沟槽(214)中的达到漂移层(212)的部分的整个区域被第2导电型的阱层(223)覆盖。阱层(223)与沟道层(213)相连。
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公开(公告)号：CN107924942B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201680049102.X
申请日：2016-08-08
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 河野宪司
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 一种半导体装置，具备半导体基板(10)，该半导体基板(10)具有：第1导电型的漂移层(11)、形成于漂移层的表层部的第2导电型的基极层(12)、以及形成于漂移层中的与基极层侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)以及第1导电型的阴极层(22)。将半导体基板中的作为IGBT元件动作的区域设为IGBT区域(1a)，并且将作为二极管元件动作的区域设为二极管区域(1b)，交替地重复形成有IGBT区域和二极管区域。IGBT区域和二极管区域由集电极层与阴极层的边界划分。将集电极层设为第1集电极层，半导体装置在半导体基板中的形成有第1集电极层以及阴极层的一侧的面上设置有第2导电型杂质浓度高于第1集电极层的第2集电极层。
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公开(公告)号：CN109314139A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
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