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公开(公告)号：CN103422066B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310178846.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。
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公开(公告)号：CN102097270B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010580566.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J23/087 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。
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公开(公告)号：CN102906303B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 本发明提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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公开(公告)号：CN103314129A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180065037.7
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103282542A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063892.4
申请日：2011-10-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该靶（C）包括：背板（104、214），具有第一主面（104a、214a）和位于所述第一主面（104a、214a）相反侧的第二主面（104b、214b）；第一母材（105），被配置在所述第一主面（104a、214a）；和第二母材（106），被配置在所述第二主面（104b、214b）。
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公开(公告)号：CN103038385A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN102165570A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137929.6
申请日：2009-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。
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公开(公告)号：CN101855384A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115649.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置(1)，其串联连接多个对于被处理基板(S)进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路(15)、和相对于第一基板输送路(15)并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路(16)，并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件(17)。
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公开(公告)号：CN100523282C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410045720.6
申请日：2004-05-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/3455
Abstract: 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。
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