激光退火方法及激光退火装置

    公开(公告)号:CN1649081A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200410097883.9

    申请日:2004-11-30

    Abstract: 提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动,将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动,在对基板上的多个方向进行退火时,使整形为细长形状的激光在基板上转动,承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此,就可以将进行过时间调制,并且整形为细长形状的连续振荡的激光,在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。

    半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101345218A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810130304.4

    申请日:2008-07-04

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法,所述方法不需降低操作温度,可以使用现有的生产线,同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置的制造方法包含如下工序:在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序,其中,树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下,波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80%以上,重量减少3%的温度为300℃以上,熔点为280℃以上。

    激光退火方法及激光退火装置

    公开(公告)号:CN100347814C

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200410097883.9

    申请日:2004-11-30

    Abstract: 提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动,将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动,在对基板上的多个方向进行退火时,使整形为细长形状的激光在基板上转动,承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此,就可以将进行过时间调制,并且整形为细长形状的连续振荡的激光,在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。

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