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公开(公告)号:CN101187764A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710165842.2
申请日:2007-11-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H05B33/00 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法。由层叠电极膜构成底栅式TFT基板的栅极电极(4),所述层叠电极膜以与绝缘基板(1)的主面上所具有的由透明导电膜构成的像素电极同层的透明导电膜(16)为下层,在其上层重叠了金属膜(26),像素电极(3)取为透明导电膜(16)。能够削减有源基板的制造中的光刻工序,降低制造成本。
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公开(公告)号:CN1327168A
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN00126331.5
申请日:2000-09-05
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 提供一种液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,具有位于一对基板的至少一方上的电极群,其至少由多条栅极布线和多条数据布线构成;配置有薄膜晶体管;栅极布线和数据布线的至少一方,用Al合金膜和在其上的其它金属的上层膜的叠层布线构成;通过接触孔连接上述Al合金膜和透明导电膜;上述Al合金膜中的添加元素的浓度分布,在Al合金膜的表层部分比内层部分高。
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公开(公告)号:CN1374705A
公开(公告)日:2002-10-16
申请号:CN01125878.0
申请日:2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。
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公开(公告)号:CN1177374C
公开(公告)日:2004-11-24
申请号:CN01125878.0
申请日:2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。
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