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公开(公告)号：CN1197165C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00118476.8
申请日：2000-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3244 , H01L51/0001 , H01L51/529 , H01L51/56 , Y10S438/956
Abstract: 本发明的目的是减少EL显示器件及与之装配的电子装置的制造成本。在有源矩阵型EL显示器件中，通过使用分送装置的涂敷步骤形成用于像素部分的EL材料。由于分送器的排料口制成线形，因此增加了生产量。使用所述分送装置，可以简化EL层的形成步骤，从而降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN1604697A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410088062.9
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1132241C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98103801.8
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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公开(公告)号：CN1120462C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN95120573.0
申请日：1995-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/13624 , G09G3/3607 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0809 , G09G2310/0281 , G09G2320/0252 , G09G2320/0261 , G09G2320/103 , G09G2340/16
Abstract: 在有源矩阵型液晶显示器件中，信号线和扫描线在一个透明基片上按矩阵形式交叉。在每个交叉部分设置一个薄膜晶体管和一个透明象素电极。在该透明基片和另一个透明基片之间插入液晶材料。在每个象素区设置一个中央象素电极和包围该中央象素电极的一个外围象素电极。当象素区在动态图像显示中有移动时，先通过外围象素电极给液晶施加电场，而后经一个预定的延迟时间后通过中央象素电极给液晶施加电场。
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公开(公告)号：CN1310480A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN01104748.8
申请日：2001-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 消除因电极孔46中有机EL材料的有缺陷的膜结构造成的EL元件的发光故障。象素电极上的电极孔46中埋入绝缘体后形成有机EL材料和形成保护部分41b,能防止电极孔46中的膜结构缺陷。能防止因EL元件的阴极与阳极之间短路而造成的电流集中,并能防止EL层的发光故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1278109A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00124108.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT201形成在具有多栅极结构的像素中,多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且,电流控制TFT202具有比开关TFT更宽的沟道宽度,以制成适合于电流流动的结构。此外,形成有电流控制TFT202的LDD区域33以便重叠一栅极35的一部分,从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1192044A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN98103801.8
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中,在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘,所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压,至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模,通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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公开(公告)号：CN1124304A
公开(公告)日：1996-06-12
申请号：CN95104060.X
申请日：1995-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种用于阳极氧化的设备及使用该设备的方法，不仅在单一基片中，而且在多个膜之间，改善阳极氧化膜的膜厚及品质均匀性，所述设备包括：阴极，阳极互连线，与阳极互连线电气连接的金属薄膜，在阴极与金属薄膜之间流动的阳极氧化溶液，阳极氧化溶液必须与阴极和阳极互连线电气连接。金属薄膜可置于旋转表面上。
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公开(公告)号：CN86107793A
公开(公告)日：1987-05-20
申请号：CN86107793
申请日：1986-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133345
Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置。该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。
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公开(公告)号：CN102610565A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210078548.9
申请日：2000-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/0004 , H01L51/0013 , H01L51/5231 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及制作电光器件的方法。本发明的目的是降低EL显示器件和包含EL显示器件的电子设备的制作成本。EL材料是通过在有源矩阵型EL显示器件中进行印刷而制作的。可用的印刷法包括凸版印刷或丝网印刷。因此，简化了EL层的制作步骤，降低了制作成本。
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