半导体器件
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102682837B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210068013.3

    申请日:2005-12-01

    CPC classification number: G11C13/0014 B82Y10/00 G11C11/22

    Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件,及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层,它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管;提供在元件形成层上的存储元件;以及提供在存储元件上的传感器部分,其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构,第一导电层电连接到第一晶体管,并且传感器部分电连接到第二晶体管。

Patent Agency Ranking