公开(公告)号：CN102473728B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201080029505.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。

公开(公告)号：CN101794820B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010002886.5

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H04M1/0266

Abstract: 本发明的目的之一在于使用氧化物半导体层提供具备其电特性及可靠性优异的薄膜晶体管的半导体装置。使用包含绝缘物(绝缘氧化物、绝缘氮化物或氧氮化硅、氧氮化铝等)，典型地包含SiO2的氧化物半导体靶材进行成膜，以实现其氧化物半导体层的膜厚度方向上的Si元素浓度具有由离栅电极近的一侧至离栅电极远的一侧逐渐增加的浓度梯度的半导体装置。

公开(公告)号：CN101789451B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201010110174.5

申请日：2010-01-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。将包含SiOx的氧化物半导体层用于沟道形成区，在源电极层及漏电极层和上述包含SiOx的氧化物半导体层之间设置源区及漏区，以降低与由低电阻值的金属材料构成的源电极层及漏电极层的接触电阻。源区及漏区使用不包含SiOx的氧化物半导体层或氧氮化物膜。

公开(公告)号：CN103500712A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310376877.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102640272A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054058.4

申请日：2010-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。

公开(公告)号：CN1630443B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200410102044.1

申请日：2004-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平形吉晴 ,  石谷哲二 ,  中村康男 ,  池田寿雄 ,  大原宏树

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5281 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明提供一种具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。

公开(公告)号：CN101794820A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002886.5

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H04M1/0266

Abstract: 本发明的目的之一在于使用氧化物半导体层提供具备其电特性及可靠性优异的薄膜晶体管的半导体装置。使用包含绝缘物(绝缘氧化物、绝缘氮化物或氧氮化硅、氧氮化铝等)，典型地包含SiO2的氧化物半导体靶材进行成膜，以实现其氧化物半导体层的膜厚度方向上的Si元素浓度具有由离栅电极近的一侧至离栅电极远的一侧逐渐增加的浓度梯度的半导体装置。

公开(公告)号：CN101789451A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010110174.5

申请日：2010-01-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。将包含SiOx的氧化物半导体层用于沟道形成区，在源电极层及漏电极层和上述包含SiOx的氧化物半导体层之间设置源区及漏区，以降低与由低电阻值的金属材料构成的源电极层及漏电极层的接触电阻。源区及漏区使用不包含SiOx的氧化物半导体层或氧氮化物膜。

公开(公告)号：CN1630443A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410102044.1

申请日：2004-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平形吉晴 ,  石谷哲二 ,  中村康男 ,  池田寿雄 ,  大原宏树

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L51/5281 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明提供一种具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。

公开(公告)号：CN1582071A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056660.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树

IPC: H05B33/10

CPC classification number: C23C14/246 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26

Abstract: 本发明的目的是提供一种执行蒸发淀积的制造装置，该制造装置在蒸发材料不被堵塞的情况下，可以在长时间执行稳定的蒸发淀积以形成膜。在淀积装置的蒸发源提供能够升降坩埚的驱动部分。当在坩埚的开口部分发生蒸发材料的堵塞时，将坩埚移动到下方并封闭在蒸发源的内部。由于蒸发源的加热器可以高效率地加热开口部分，所以堵塞在开口部分的蒸发材料被蒸发，从而可以消除堵塞。之后，将坩埚移动到上方，进行加热以执行蒸发淀积。这样，可以不暴露于大气的情况下，在长时间执行蒸发淀积，从而可以进一步提高有机EL元件的生产性。