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公开(公告)号：CN102598278A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045729.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN101626064A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910152392.2
申请日：2002-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L2251/5315
Abstract: 在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
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公开(公告)号：CN101395966A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007322.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/14 , C09K11/00 , C09K11/54 , C09K11/56 , C09K11/59 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/78 , C09K11/84 , C09K11/88 , H01L51/50
CPC classification number: C09K11/612 , H01L51/5012 , H05B33/145
Abstract: 发光层包含：发光基材，它包括硫族化合物；以及发光中心，它包括两种卤族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及选自周期表第2到13族的元素，并且卤族化合物包含卤族元素以及选自典型的金属元素、过渡金属元素或稀土元素中的元素。
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公开(公告)号：CN1947466A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012658.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L27/3209 , H01L51/0067 , H01L51/5092 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件，其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层，之间插入电荷发生层，从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说，使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是，使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。
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公开(公告)号：CN1575069A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049032.7
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 中村康男
CPC classification number: H01L51/0069 , H01L51/002 , H01L51/0071 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5092 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于发光元件的电子注入成分，该电子注入成分具有优越的电子注入性，且在形成膜时不易被晶化。本发明并且提供使用该用于发光元件的电子注入成分而形成的在元件特性上比常规元件更优越，且寿命更长的发光元件。本发明还提供使用该发光元件的发光器件。本发明使用一种用于发光元件的电子注入成分从而形成电子注入层作为发光元件的包含发光物质的层的一部分，该电子注入成分包括通用公式(1)表示的苯并恶唑衍化物；以及碱性金属、碱性土金属和过渡金属中的其中之一。通用公式(1)其中，Ar表示芳基；R1－R4分别独立表示氢、卤、氰基、包含1－10个碳原子的烷基、包含1－10个碳原于的haloalkyl、包含1－10个碳原子的烷氧基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的杂环基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1409581A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02149561.0
申请日：2002-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L2251/5315
Abstract: 在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
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公开(公告)号：CN104733540B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510102867.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN101753861A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246365.1
申请日：2009-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , G09F9/30 , G09G3/20
CPC classification number: H01L31/1055 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/323 , H01L27/3234
Abstract: 本发明涉及光传感器和显示装置。包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体的薄膜晶体管容易地在大的基板上以矩阵布置，并且具有小的特性变化。通过包括具有小的特性变化的薄膜晶体管的放大器电路和显示元件的驱动器电路，以矩阵布置的光电二极管接收的光的强度分布被高度可再现地转换为电信号并且被输出，并且可以均匀一致地驱动以矩阵布置的显示元件，其中该薄膜晶体管包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN101673807A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910163835.8
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L27/3209 , H01L51/0067 , H01L51/5092 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件，其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层，之间插入电荷发生层，从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说，使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是，使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。本发明还提供发光元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN100468821C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410049055.8
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 中村康男
CPC classification number: H01L51/0067 , H01L51/002 , H01L51/0073 , H01L51/0081 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H01L2251/308 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于发光元件的电子注入成分，该电子注入成分具有优越的电子注入性，且在形成膜时不易被晶化。本发明并且提供使用该用于发光元件的电子注入成分而形成的在元件特性上比常规元件更优越，且寿命更长的发光元件。本发明还提供使用该发光元件的发光器件。本发明使用一种用于发光元件的电子注入成分从而形成电子注入层作为发光元件的包含发光物质的层的一部分，该电子注入成分包括适用公式(1)表示的吡啶衍化物；以及碱性金属、碱性土金属和过渡金属中的其中之一。通式(1)和X1、X2以及R-1R8的含义请见说明书所述。
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