公开(公告)号：CN103500712B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310376877.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN101653867A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910163549.1

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  小俣贵嗣

IPC: B23K26/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及一种激光处理装置以及通过使用该装置而执行的激光处理方法，其中所述激光处理装置包括：激光振荡器；提供在激光振荡器中的联锁器；按一定工作周期移动的移动台；计时器；提供在计时器中的联锁器；能够检测移动台的移动状态的传感器；以及计算机，其中，当所述传感器检测出移动台的通过时所述计时器开始测量时间，并且，在所述工作周期之后移动台还不通过传感器的情况下，提供在所述计时器中的联锁器的接点之间的电流被阻断，因此激光振荡器的联锁器开始运转，从而停止照射激光束。

公开(公告)号：CN105336791B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102694006B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201210078793.X

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/477 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。

公开(公告)号：CN103339715B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN105336791A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN1797707A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510128584.1

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  小俣贵嗣

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及一种激光处理装置以及通过使用该装置而执行的激光处理方法，其中所述激光处理装置包括：激光振荡器；提供在激光振荡器中的联锁器；按一定工作周期移动的移动台；计时器；提供在计时器中的联锁器；能够检测移动台的移动状态的传感器；以及计算机，其中，当所述传感器检测出移动台的通过时所述计时器开始测量时间，并且，在所述工作周期之后移动台还不通过传感器的情况下，提供在所述计时器中的联锁器的接点之间的电流被阻断，因此激光振荡器的联锁器开始运转，从而停止照射激光束。

公开(公告)号：CN107302018B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201710578536.5

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。

公开(公告)号：CN103339715A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN101653867B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200910163549.1

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  小俣贵嗣

IPC: B23K26/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及一种激光处理装置以及通过使用该装置而执行的激光处理方法，其中所述激光处理装置包括：激光振荡器；提供在激光振荡器中的联锁器；按一定工作周期移动的移动台；计时器；提供在计时器中的联锁器；能够检测移动台的移动状态的传感器；以及计算机，其中，当所述传感器检测出移动台的通过时所述计时器开始测量时间，并且，在所述工作周期之后移动台还不通过传感器的情况下，提供在所述计时器中的联锁器的接点之间的电流被阻断，因此激光振荡器的联锁器开始运转，从而停止照射激光束。