公开(公告)号：CN107614245A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201580077437.8

申请日：2015-09-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石原治彦 ,  平林英明

IPC: B29C64/153 ,  B22F3/02 ,  B28B1/32 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00

CPC classification number: B29C64/165 ,  B22F1/0062 ,  B22F3/008 ,  B22F3/02 ,  B22F2999/00 ,  B28B1/001 ,  B28B1/32 ,  B29C67/04 ,  B29C67/246 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/0018 ,  B22F2201/10

Abstract: 根据实施方案的三维成型方法制造了三维成型体，并且该方法包括重复进行如下步骤：向各自涂覆有粘合剂的材料颗粒上施加其中溶解有粘合剂或导致与粘合剂的粘合反应的反应溶液，以及沉积材料颗粒的步骤。因此，该三维成型方法可以提高三维成型体的密度和强度，并且提供了均匀的三维成型体。

公开(公告)号：CN100467224C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510078598.7

申请日：2001-10-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  日油株式会社

Inventor： 平林英明 ,  斋藤晶子 ,  樱井直明 ,  押部义宏 ,  石户谷昌洋

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明披露了一种具有擦光层的抛光布，所述擦光层包含在含水介质中可水解的聚合物材料并且在没有进行必须的整修处理下能够显示出相对长时间的稳定的抛光性能。

公开(公告)号：CN1473358A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01818564.9

申请日：2001-10-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  日本油脂株式会社

Inventor： 平林英明 ,  斋藤晶子 ,  樱井直明 ,  押部义宏 ,  石户谷昌洋

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  B24B49/16 ,  B24D3/28 ,  B24D3/344 ,  B24D11/001

Abstract: 本发明披露了一种具有擦光层的抛光布，所述擦光层包含在含水介质中可水解的聚合物材料并且在没有进行必须的整修处理下能够显示出相对长时间的稳定的抛光性能。

公开(公告)号：CN110999553B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201880053736.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 加藤宽正 ,  平林英明 ,  川岛史行 ,  佐佐木亮人

IPC: H05K3/26 ,  C04B41/88 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16 ,  H05K3/20 ,  H05K3/06

Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。

公开(公告)号：CN117062326A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311255880.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 加藤宽正 ,  平林英明 ,  川岛史行 ,  佐佐木亮人

IPC: H05K3/06 ,  H05K3/26 ,  H05K3/20 ,  H05K3/38 ,  H05K1/09 ,  H05K1/03 ,  C04B41/88 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16

Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。

公开(公告)号：CN110573080B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880028268.2

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  铃木智之 ,  筒井一生 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: A61B6/03 ,  G01N23/046 ,  G01N23/083 ,  G01T1/24 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明的实施方式的光子计数型放射线检测器具备第一单元及第二单元。上述第一单元使放射线透过。上述第二单元与上述第一单元层叠，对从上述第一单元透过后的上述放射线进行吸收。

公开(公告)号：CN110720132B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201880036705.5

申请日：2018-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  佐佐木敦也 ,  佐佐木亮人 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: H01G11/00 ,  H01G11/56 ,  H01M4/13 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明的超级电容器的特征在于，其具有在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层、进行氧导电的金属氧化物层和成为氧供给源的金属氧化物层的3层结构。另外，在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层优选为选自氧化镧(La2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)中的1种。另外，进行氧导电的金属氧化物层优选为选自氧化铈(CeO2)、钇稳定化氧化锆(YSZ)中的1种。

公开(公告)号：CN111727521A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980013389.4

申请日：2019-04-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 重里有三 ,  贾军军 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: H01M4/485 ,  G02F1/155 ,  H01G11/46 ,  H01M4/131

Abstract: 本发明提供一种电极层，其具备由以钨、钼及氧作为构成元素的复合氧化物形成的固溶体。另外，在将钨、钼及氧的合计设为100at％时，优选钨为1at％以上且40at％以下、钼为1at％以上且40at％以下、剩余部分为氧。复合氧化物优选为固溶体。另外，固溶体中，优选钨与氧的键合或钼与氧的键合具有钨-氧-钨、钼-氧-钼、钨-氧-钼这3种。

公开(公告)号：CN110024154A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073814.X

申请日：2017-12-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐佐木敦也 ,  佐佐木亮人 ,  片冈好则 ,  平林英明 ,  斋藤秀一

IPC: H01L49/00

Abstract: 本发明提供一种半导体固体电池，其特征在于，在N型半导体与P型半导体之间设置有第一绝缘层。另外，第一绝缘层优选膜厚为3nm～30μm，并且相对介电常数为10以下。另外，第一绝缘层优选膜密度为主体的60％以上。另外，半导体层优选导入俘获电位。若是半导体固体电池，则能够消除电解液的漏液的产生。

公开(公告)号：CN105321854A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510458287.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  平林英明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02054 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/02052

Abstract: 有关实施方式的处理装置具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。