公开(公告)号：CN111557059B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201980007017.0

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: H01M4/48 ,  C01G41/02 ,  H01M4/13

Abstract: 电极材料包含具有氧缺损及沿着b轴的六方孔道结构的氧化钨粉末。另外，氧化钨粉末以WO3‑x表示，优选满足0.1≤x≤0.3。另外，X射线衍射光谱中的峰强度比I(010)/I(103)优选为1以上且10以下。

公开(公告)号：CN110325478B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880013555.6

申请日：2018-04-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 重里有三 ,  贾军军 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  片冈好则 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: C01G41/02 ,  B01J23/30 ,  B01J35/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G19/00 ,  C01G23/04 ,  C01G39/02 ,  C01G53/04 ,  C01G55/00 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/52 ,  H01M4/58 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 根据实施方式，纳米金属化合物粒子在将对平均粒径为50nm以下的金属化合物的粒子通过光谱椭圆偏振法分析而得到的结果拟合成洛伦兹模型时，振子的共振频率的峰ωt为2.8eV以下。另外，优选为0.5≤ωt(eV)≤2。另外，平均粒径优选为15nm以下。

公开(公告)号：CN110352533A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880014936.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 高木茂行 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  片冈好则 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: H01M10/48 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明提供一种蓄电单元，其具有：蓄电部，其在负极层或正极层中使用氧化钨，氧化钨以单斜晶、斜方晶及立方晶中的任1种晶体结构作为主体晶体；和控制电路，其在蓄电部的充放电中，将蓄电部的每1个电池的负极与正极之间的电位差控制在能以初期状态维持成为主体晶体的氧化钨晶体结构的种类的电位差。此外，蓄电系统由所述蓄电单元和二次电池组合而成。

公开(公告)号：CN112585503A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980054560.6

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  平林英明

IPC: G01T1/24 ,  H01L31/08

Abstract: 一种光子计数型放射线检测器，具备单元结构，该单元结构包含基板和设置于所述基板之上且供放射线入射的外延层，在将所述基板的厚度设为tsub、将所述外延层的厚度设为tepi、将所述基板的长度设为L、将所述基板相对于所述X射线的入射方向的倾斜度设为θ(°)时，将基板的倾斜度θ设为规定的范围。外延层优选为选自SiC、Ga2O3、GaAs、GaN、金刚石、CdTe中的一种。这样的光子计数型放射线检测器优选为直接变换型。

公开(公告)号：CN110573080A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880028268.2

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  铃木智之 ,  筒井一生 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: A61B6/03 ,  G01N23/046 ,  G01N23/083 ,  G01T1/24 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明的实施方式的光子计数型放射线检测器具备第一单元及第二单元。上述第一单元使放射线透过。上述第二单元与上述第一单元层叠，对从上述第一单元透过后的上述放射线进行吸收。

公开(公告)号：CN113474293B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202080012983.4

申请日：2020-03-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 福士大辅 ,  平林英明 ,  佐佐木亮人 ,  平松亮介 ,  佐佐木敦也 ,  诸冈飞树 ,  森阳一郎

IPC: C01G41/02

Abstract: 一种氧化钨粉末，其长径的平均粒径是10μm以下，平均纵横比是10以下，在一次粒子的短径方向的表面或断面中，晶体缺陷在每单位面积9nm2中是0个以上且4个以下。另外，优选沿着长径具有六边形隧道结构。另外，优选氧化钨粉末具有氧缺损。由此，能够使嵌入性能提高。

公开(公告)号：CN110720132A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880036705.5

申请日：2018-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  佐佐木敦也 ,  佐佐木亮人 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: H01G11/00 ,  H01G11/56 ,  H01M4/13 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明的超级电容器的特征在于，其具有在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层、进行氧导电的金属氧化物层和成为氧供给源的金属氧化物层的3层结构。另外，在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层优选为选自氧化镧(La2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)中的1种。另外，进行氧导电的金属氧化物层优选为选自氧化铈(CeO2)、钇稳定化氧化锆(YSZ)中的1种。

公开(公告)号：CN110325478A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880013555.6

申请日：2018-04-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 重里有三 ,  贾军军 ,  福士大辅 ,  平林英明 ,  片冈好则 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也

IPC: C01G41/02 ,  B01J23/30 ,  B01J35/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G19/00 ,  C01G23/04 ,  C01G39/02 ,  C01G53/04 ,  C01G55/00 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/52 ,  H01M4/58 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139

Abstract: 根据实施方式，纳米金属化合物粒子在将对平均粒径为50nm以下的金属化合物的粒子通过光谱椭圆偏振法分析而得到的结果拟合成洛伦兹模型时，振子的共振频率的峰ωt为2.8eV以下。另外，优选为0.5≤ωt(eV)≤2。另外，平均粒径优选为15nm以下。

公开(公告)号：CN109196752A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780033698.9

申请日：2017-08-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  斋藤秀一

IPC: H02J7/34 ,  H01M4/48 ,  H01M16/00 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明提供一种具备二次电池和快速充放电蓄电装置的蓄电系统，其特征在于：二次电池的功率密度低于7000W/kg，快速充放电蓄电装置的功率密度为7000W/kg以上。此外，优选快速充放电蓄电装置的功率密度为9000W/kg以上。此外，优选二次电池的能量密度为30Wh/kg以上。

公开(公告)号：CN110573080B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880028268.2

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 角岛邦之 ,  铃木智之 ,  筒井一生 ,  佐佐木亮人 ,  佐佐木敦也 ,  平林英明 ,  片冈好则

IPC: A61B6/03 ,  G01N23/046 ,  G01N23/083 ,  G01T1/24 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明的实施方式的光子计数型放射线检测器具备第一单元及第二单元。上述第一单元使放射线透过。上述第二单元与上述第一单元层叠，对从上述第一单元透过后的上述放射线进行吸收。