公开(公告)号：CN101521174B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910004430.X

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  中岛崇人

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  B05D1/00 ,  B05D3/10

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。

公开(公告)号：CN103035951A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210344799.7

申请日：2012-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江草俊 ,  佐藤胜广

IPC: H01M10/058

CPC classification number: H01M10/04 ,  H01M2/36 ,  Y10T29/49115

Abstract: 提供了一种制造包括电池壳和容纳在电池壳中的电极板组的蓄电池的方法。该电极板组包括正电极板、负电极板和插入到正负电极板之间的隔板。电极板组被非水电解质浸没。蓄电池制造方法包括如下的步骤：用在非水电解质中奥斯特瓦尔德溶解系数为2.0或以上的气体替换电池壳中的空气；在用气体进行替换之后，降低电池壳中的压强；将非水电解质引入到降低压强的电池壳中。

公开(公告)号：CN104517968B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410448439.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西谷和人 ,  佐藤胜广

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 根据一个实施方式，可提供一种非易失性半导体存储装置。多个元件分离用绝缘体在所述半导体基板的表面区域中形成沿着所述半导体基板的表面延伸的被划分的多个有源区。将隧道绝缘膜设在所述有源区上。将浮置栅电极设在所述隧道绝缘膜上。将栅间绝缘膜设在所述浮置栅电极上。将控制栅电极设在所述栅间绝缘膜上。源极区域及漏极区域分别在所述多个有源区上相互分离地形成。所述有源区各自在侧面具有台阶，比所述台阶深的部分的宽度大于比所述台阶浅的部分的宽度。

公开(公告)号：CN105321854A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510458287.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  平林英明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02054 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/02052

Abstract: 有关实施方式的处理装置具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。

公开(公告)号：CN101521174A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910004430.X

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  中岛崇人

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  B05D1/00 ,  B05D3/10

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。

公开(公告)号：CN105321854B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510458287.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  平林英明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02054 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086

Abstract: 有关实施方式的处理装置具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。

公开(公告)号：CN104517968A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410448439.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西谷和人 ,  佐藤胜广

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 根据一个实施方式，可提供一种非易失性半导体存储装置。多个元件分离用绝缘体在所述半导体基板的表面区域中形成沿着所述半导体基板的表面延伸的被划分的多个有源区。将隧道绝缘膜设在所述有源区上。将浮置栅电极设在所述隧道绝缘膜上。将栅间绝缘膜设在所述浮置栅电极上。将控制栅电极设在所述栅间绝缘膜上。源极区域及漏极区域分别在所述多个有源区上相互分离地形成。所述有源区各自在侧面具有台阶，比所述台阶深的部分的宽度大于比所述台阶浅的部分的宽度。