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公开(公告)号：CN1551123A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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公开(公告)号：CN1538391A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
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公开(公告)号：CN1674105A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN104795079A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410178875.0
申请日：2014-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C30B23/08 , C23C14/185 , G11B5/7325 , H01F10/123
Abstract: 本发明得到具有结晶取向性及低粒径分散性良好的磁性粒子且记录再现特性优良的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有在基板上依次形成的、软磁性基底层、以具有面心立方结构的Ni为主成分得配向控制层、具有15％以下的间距分散的多个金属氧化物柱及包括在由多个金属氧化物柱划分的区域内生长的具有密排六方结构或面心立方结构的结晶微粒的粒径控制层以及垂直磁记录层。
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公开(公告)号：CN101256779A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092003.7
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩崎刚之
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在该垂直磁记录介质中，软磁性层(2)，具有精细晶体结构并且由Pd或Pd合金构成的第一非磁性衬层(3)，由Ru和Ru合金构成的第二非磁性衬层(4)，和垂直磁记录层(5)层叠在非磁性衬底(1)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674102A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN106611605A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610066010.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/8408 , G11B5/851 , G11B5/714 , G11B5/70626
Abstract: 本发明的实施方式得到磁记录特性良好、且改善了耐腐蚀性的磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录再生装置。实施方式涉及的磁记录介质具有：基板；由Ni合金或Ag合金构成的取向控制层；与取向控制层接触而设置的非磁性种子层；以及，以Fe或Co、和Pt为主成分的垂直磁记录层，非磁性种子层由Ag粒子、Ge粒界和化合物X构成，化合物X选自Al、Ti、Cr、Si、Ta各元素的氧化物、氮化物和碳化物，且分布于Ag粒子和Ge粒界这两者中。
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公开(公告)号：CN104681045A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410072017.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/732 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供介质噪音小且记录再生特性良好的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，其中，包含：非磁性颗粒基底层，其形成于基板上，包含含第1金属的多个金属微粒以及设置于多个金属微粒周围的晶粒边界层，各金属微粒具有从晶粒边界层突出的凸部与被埋没于晶粒边界层中的底部，凸部表面相对于晶粒边界层表面的接触角为45°至85°；非磁性中间层，其分别形成于凸部表面；和磁记录层，夹着非磁性中间层在非磁性颗粒基底层上具有基于含凸部的图案而形成的凸状图案。
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公开(公告)号：CN100347756C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN1333387C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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