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公开(公告)号：CN103023501A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210224236.4
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H03F3/45183 , H03F2203/45391 , H03F2203/45392 , H03F2203/45674 , H03K5/2481 , H03M1/365
Abstract: 一种模数转换器，包括电压生成单元和多个比较器。电压生成单元通过多个电阻器将从外部施加的基准电压分压以生成多个比较电压。比较器将比较电压与模拟输入电压相比较并基于比较结果而输出数字信号。每个比较器包含检测比较电压和模拟输入电压之间的电势差的差动对电路。差动对电路包含第一电路部分和第二电路部分。第一电路部分包含：栅极被供给一个输入的第一输入晶体管和与第一输入晶体管串联连接的电阻器。第二电路部分包含：栅极被供给另一个输入并与第一输入晶体管形成差动对的第二输入晶体管；和与第二输入晶体管串联连接的可变电阻器。可变电阻器包含串联连接的多个可变电阻元件，每个可变电阻元件具有根据控制信号被可变地设定的电阻值。
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公开(公告)号：CN103023500A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210224176.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03M1/365
Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。
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公开(公告)号：CN1841768A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071020.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/115 , H01L29/66984 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。
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公开(公告)号：CN114864669A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110946304.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。所述第1导电部件与所述第2电极电连接。或者，所述第1导电部件能够与所述第2电极电连接。所述第2导电部件从所述第2电极以及所述第3电极电绝缘。
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公开(公告)号：CN102651234B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546600B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910129709.0
申请日：2009-03-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C14/0081 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/02 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , H03K19/0944 , H03K19/18
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体-磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。
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公开(公告)号：CN102651234A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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公开(公告)号：CN101140944B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710153622.8
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/22 , H01L29/66 , H01L29/772 , G11C11/15 , G11C11/16
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/66984
Abstract: 一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。
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公开(公告)号：CN101378072A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810213097.9
申请日：2008-08-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个方面的自旋FET包括源/漏区域(13，14)，源/漏区域(13，14)之间的沟道区域，和沟道区域之上的栅电极(16)。源/漏区域(13，14)中的每一个包括由低逸出功材料(13)和铁磁物质(14)组成的堆结构。低逸出功材料(13)是由非氧化Mg，K，Ca，Sc中的一种组成的非氧化物或包含50at％或更多的所述非氧化物的合金。
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公开(公告)号：CN100452233C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/接收器，该驱动器/接收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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