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公开(公告)号：CN1290117C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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公开(公告)号：CN1469387A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03149408.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁随机存取存储器，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。
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公开(公告)号：CN1433021A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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公开(公告)号：CN1428787A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157557.6
申请日：2002-12-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 读出块是由横向并排的多个TMR元件构成。读出块内TMR元件的一端共通连接，经由读出选择开关连到源线。TMR元件的另一端分别单独连到读出位线/写入字线。读出位线/写入字线经由行选择开关连到共通数据线。共通数据线连到读出电路。
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公开(公告)号：CN1428785A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157546.0
申请日：2002-12-20
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩田佳久
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/226
Abstract: 提供磁随机存取存储器及其读出方法和制造方法。读块由在纵向上重叠的多个TMR元件构成。读块内的TMR元件的一端经过读出选择开关与源线相连接。源线在Y方向上延伸，经过列选择开关与接地点相连接。TMR元件的另一端分别独立地与读出/写入位线相连接。读出/写入位线在Y方向上延伸，经过列选择开关与读出电路相连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421866A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152687.7
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩田佳久
IPC: G11C11/15 , G11C7/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/15 , H01L27/224 , H01L27/226
Abstract: 本发明涉及磁随机存取存储器及其读出电路和制造方法。在读出位线上，连接了多个块。一个块具有串联在读出位线和接地端子之间的多个MTJ元件。这些MTJ元件，例如，层叠在半导体衬底上。读出位线配置在层叠的多个MTJ元件上。在块内的多个MTJ元件的附近，配置了沿着X方向延伸的写入字线和沿着Y方向延伸的写入位线。
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公开(公告)号：CN103824596B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410016169.6
申请日：2010-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/26 , G11C16/32 , G11C16/34 , H01L27/11578 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C16/3418 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN102024495A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010135747.X
申请日：2010-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/02 , G11C16/26 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C16/3418 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN100468565C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510069671.4
申请日：2005-05-10
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩田佳久
IPC: G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/14 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5004
Abstract: 根据本发明若干实例的磁性随机存取存储器包括磁阻元件MTJ和电流源电路I1、I2和I3，在读取所述磁阻元件MTJ中的数据时，所述电流源电路把偏置电流/电压给予所述磁阻元件MTJ，其中，所述偏置电流/电压值的变化取决于温度而不取决于电源电位。
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公开(公告)号：CN100346421C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03149408.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁随机存取存储器及其写入方法，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。
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