公开(公告)号：CN104916642A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410444337.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  內原士 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0733 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种提高静电破坏耐受量的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包含第一半导体层及形成在所述第一半导体层上的第二半导体层。进而，所述装置包含隔着第一绝缘膜而形成在所述第一半导体层上的第一控制电极。进而，所述装置包含第二控制电极，所述第二控制电极隔着第二绝缘膜而形成在所述第一半导体层上，且所述第二绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离大于所述第一控制电极的所述第一绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离。进而，所述装置包含将所述第一控制电极与所述第二控制电极电连接的配线。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103681884A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070533.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 提供半导体器件及其制造方法。半导体器件具备含有III族元素的第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、第3氮化物半导体层、绝缘膜、欧姆电极和肖特基电极。第2氮化物半导体层设在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层。第3氮化物半导体层设在第2氮化物半导体层上。绝缘膜与第3氮化物半导体层相接地设在第3氮化物半导体层上。欧姆电极与第2氮化物半导体层欧姆接触。肖特基电极与第2氮化物半导体层肖特基接触。欧姆电极和肖特基电极之间的第3氮化物半导体层的表面区域，含有与第3氮化物半导体层的构成元素为异种的元素，该元素的浓度高于第3氮化物半导体层的比表面区域还靠第2氮化物半导体层侧的区域。