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公开(公告)号：CN102356483A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201180001439.0
申请日：2011-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M2/1022 , H01M10/6555
Abstract: 电池包具备多个电池、容纳多个电池的壳体、以及将多个电池相互隔离的至少1个隔板。至少1个隔板包含金属网眼体、以及配置在金属网眼体的两面的隔热层。隔热层包含在110℃以上且小于200℃的温度下能发泡的发泡材料，通过所述发泡材料的发泡，隔热层的厚度增大。由此，即使容纳在电池包内的电池的任一个异常发热，也能够有效地抑制向其他电池的热传导。
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公开(公告)号：CN100477312C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200480003351.2
申请日：2004-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供一种热开关元件及其制造方法，该热开关元件具有与已有完全不同的构成，通过施加能量而能够控制热的传输。热开关元件包含第一电极(2a)、第二电极(2b)以及配置在第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的转变体(3)，转变体(3)包含通过施加能量进行电子相转变的材料，成为通过将能量施加到转变体(3)上，使第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的热传导率发生变化的元件。
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公开(公告)号：CN1270323C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含按照2个存储器层夹持隧道层的方式沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1745485A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003351.2
申请日：2004-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供一种热开关元件及其制造方法，该热开关元件具有与已有完全不同的构成，通过施加能量而能够控制热的传输。热开关元件包含第一电极(2a)、第二电极(2b)以及配置在第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的转变体(3)，转变体(3)包含通过施加能量进行电子相转变的材料，成为通过将能量施加到转变体(3)上，使第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的热传导率发生变化的元件。
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公开(公告)号：CN1732573A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107768.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术完全不同的构成、可提高用于使磁性体的磁化状态发生变化的能量转换效率的磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器。所述磁性开关元件包括：磁性层、与所述磁性层磁耦合的转换层、具有选自金属及半导体的至少一种的载流子供给体，所述转换层与所述载流子供给体是以在所述转换层与所述载流子供给体之间能够施加电压的状态进行配置，所述转换层是通过施加所述电压而产生非强磁性－强磁性转换的层，由于所述转换层的所述转换，所述磁性层的磁化状态发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1529910A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1488175A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1235338A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe2O3膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。
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公开(公告)号：CN110400922A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910665377.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本公开涉及非水电解质二次电池用正极和非水电解质二次电池。该非水电解质二次电池具备正极、负极和非水电解液，作为一例实施方式的正极(11)，具备：以铝(Al)为主成分而构成的正极集电体(30)；形成于正极集电体(30)上的保护层(31)；和包含含锂过渡金属氧化物、形成于保护层(31)上的正极合剂层(32)。保护层(31)的厚度为1μm～5μm，包含氧化能力比含锂过渡金属氧化物低的无机化合物、和导电材料。所述非水电解液包含非水溶剂和溶解在非水溶剂中的电解质盐，所述非水溶剂含有酯类、醚类、腈类、酰胺类中的至少1种。根据作为本公开的一方式的非水电解质二次电池用正极，能够维持良好的集电性，并且抑制由正极活性物质与铝集电体的氧化还原反应带来的发热。
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公开(公告)号：CN105932221B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510815048.2
申请日：2015-11-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 在作为实施方式一例的非水电解质二次电池中，正极(11)具有正极集电体(30)、在该集电体上形成的正极合剂层(31)、和在正极集电体(30)与正极合剂层(31)之间形成的中间层(32)。中间层(32)包含热传导率为10W/m·K以上的高热传导材料、和阻燃剂。
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