公开(公告)号：CN103222178A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180022019.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  风间俊

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/00

CPC classification number: H02M7/5387 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7828 ,  H02M7/003

Abstract: 本发明提供一种逆变器，其具备：并联连接由第1开关单元及第2开关单元串联连接而成的臂而形成的电路；和栅极驱动电路，其根据采用了同步整流方式的脉冲宽度调制，控制第1开关单元及第2开关单元的开关动作，第1开关单元及第2开关单元的各开关单元具有：导通时在正向及反向的双向上导通而截止时在正向上不导通的沟道区域；和仅在反向上导通的单极型的二极管区域，栅极驱动电路使从栅极驱动电路输出用于第1开关单元的开关动作的信号的定时、与从栅极驱动电路输出用于第2开关单元的开关动作的信号的定时相一致。

公开(公告)号：CN102668348A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180004663.5

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真

IPC: H02M3/155 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7828 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 本发明提供一种转换器，其具备：第1开关单元；第2开关单元，其与第1开关单元的开关动作同步地进行开关动作；和栅极驱动电路，其通过脉冲宽度调制来控制第1开关单元和第2开关单元的导通动作及截止动作，第1及第2开关单元具有：在导通动作时在正向及反向的双向导通而在截止动作时正向不导通的沟道区域；和仅在反向导通的单极型的二极管区域，栅极驱动电路使从栅极驱动电路输出用于第1开关单元的开关动作的信号的定时、与从栅极驱动电路输出用于第2开关单元的开关动作的信号的定时相一致。

公开(公告)号：CN102273058A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080003875.7

申请日：2010-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 风间俊 ,  北畠真 ,  田米正树

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/12 ,  H02M7/493 ,  H02P27/06

CPC classification number: H02M7/53871 ,  B60L1/003 ,  B60L1/02 ,  B60L11/1803 ,  B60L15/08 ,  B60L2210/40 ,  B60L2220/14 ,  B60L2220/16 ,  B60L2220/46 ,  B60L2270/147 ,  H02M2001/008 ,  H02P27/08 ,  Y02T10/644 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7241 ,  Y10T307/406

Abstract: 本发明提供了一种小尺寸负载驱动系统，其在甚至具有三个三相逆变器的情况下显著减小噪声而不管控制占空比。该负载驱动系统包括三相逆变器301至303，以及第一、第二和第三控制单元401至403。该逆变器301至303被分别连接到负载211至213。第一控制单元401生成锯齿波电压并且根据该锯齿波电压控制逆变器301。第二控制单元402生成逆锯齿波电压并且根据逆锯齿波电压来控制逆变器302。第三控制单元403生成三角波电压，其具有分别等于锯齿/逆锯齿波电压的斜面并且具有相同相位或相对于锯齿/逆锯齿波电压异相半个周期，并且还根据三角波电压控制逆变器303。

公开(公告)号：CN100353498C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN03801527.7

申请日：2003-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  内田正雄

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  Y10S438/931

Abstract: 蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。

公开(公告)号：CN1914786A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003618.2

申请日：2005-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  桥本浩一

IPC: H02M1/08 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H02M7/538 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0727 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H02M7/003 ,  H03K17/063 ,  H03K17/6871 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。

公开(公告)号：CN1599961A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02823980.6

申请日：2002-11-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  高桥邦方 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7838

Abstract: 通过在800℃以上1400℃以下的温度下、在1.4×102Pa以下的氧气气氛下，对SiC基板(1)上部进行氧化，形成厚度在20nm以下的热氧化膜，即第一绝缘膜(2)。进行退火之后，通过CVD法，在其上形成厚度为5nm程度的氮化膜，即作为第一覆盖层(3)。接着，通过CVD法，在其上形成厚度为130nm程度的沉积氧化膜，即第二绝缘膜(4)。在其上，再形成厚度为10nm程度的氮化膜，即第二覆盖层(5)。通过形成由以上的第一绝缘膜(2)至第二覆盖层(5)构成的栅绝缘膜(6)，可以获得低损耗且高可靠性的半导体装置。

公开(公告)号：CN1592950A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03801527.7

申请日：2003-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  内田正雄

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  Y10S438/931

Abstract: 蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。

公开(公告)号：CN1572025A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN03801341.X

申请日：2003-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/62 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件(半导体模块)及其制造方法。半导体模块具备在SiC衬底上、能够个别地工作的区段1(半导体元件)。区段1具备：设置在SiC衬底主面侧上源电极焊接区2及栅电极焊接区3和设置在SiC衬底的背面侧上的漏电极焊接区。具备用于使相邻接的区段1彼此之间电隔离的沟槽、肖特基二极管等元件隔离区。仅仅将经检查确认是合格品的区段1的电极焊接区2、3连接在电极端子41、43上。

公开(公告)号：CN1173411C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN01803862.X

申请日：2001-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底(2)、形成在外延层内的n-SiC层(3)(漂移区)、栅极绝缘膜(6)和栅电极(7a)、将栅电极(7a)包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极(7c)、p-SiC层(4)、以及从源电极(7b)端部下方到栅电极(7a)端部下方的n+SiC层(5)。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层(5)的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层(10a)和非掺杂层(10b)。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。

公开(公告)号：CN1367937A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN00811192.8

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  上野山雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0455 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种MISFET半导体装置,它在P型SiC衬底上设有P型有源区(12)、n型源区(13a)及漏区(13b)、由热氧化膜组成的栅绝缘膜(14)、栅电极(15)、源电极(16a)及漏电极(16b)。有源区(12)由薄到能产生量子效应的高浓度P型掺杂层(12a)和厚的未掺杂层(12b)交互叠层形成。载流子渡越时,由于有源区杂质离子散射降低,沟道迁移率提高,在断开状态下由于有源区全体的耗尽层化耐压性提高。还有,由于被俘获在栅绝缘膜中及栅绝缘膜—有源区间的界面附近的电荷减少、沟道迁移率进一步提高。