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公开(公告)号：CN110183227A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910353613.6
申请日：2019-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Li2MoO4-Mg2SiO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成xLi2MoO4-(1-x)Mg2SiO4，其中x＝10，50，70，80，85，90或95wt％。该方法首先将氧化镁和二氧化硅以一定的化学计量比称量，球磨均匀，干燥，预烧得到Mg2SiO4。然后将制备好的Mg2SiO4与Li2MoO4原料以一定的重量比称量，加入15wt％的去离子水，混合均匀，将混合物在200℃，500MPa下热压60分钟，并在120℃下干燥24小时以除去残留的水分，得到超低温冷烧结xLi2MoO4-(1-x)Mg2SiO4复合陶瓷材料。相比于传统高温固相烧结(常常高于1000℃以上)，该方法烧结温度在室温到200℃之间，工艺简单，节约能源并可广泛应用于Li2MoO4-Mg2SiO4复合陶瓷基片生产。
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公开(公告)号：CN109928753A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910191942.5
申请日：2019-03-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/16
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料成分为Y2O3、SiO2、SrCO3，所述原料成分以SrY2Si3O10(SYSO)化学计量比进行配比。本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，在致密化烧结温度下制备得到的微波介质陶瓷材料微波介电性能稳定。
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公开(公告)号：CN115141006B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210776922.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途，所述微波介质陶瓷材料的化学式为Mg1.8Ni0.2‑xCoxAl4Si5O18，其中0.05≤x≤0.15。本发明的微波介质陶瓷材料为一种Ni2+和Co2+共掺杂的堇青石型晶体结构材料，其中Ni2+和Co2+协同置换占据所述镁堇青石晶格中的部分Mg2+晶格位置，由此使得微波介质陶瓷材料具有较好的微波性能。本发明的复合材料具有好的微波性能，改善了现有的各类堇青石陶瓷材料温度稳定性差的缺陷及品质因数，降低了烧结温度，并使其温度系数近零；该复合材料具有温度稳定高Qf值，有望在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件作为的功能介质使用。
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公开(公告)号：CN114163241B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111226100.2
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法。本发明方法包括：称取NaOH与NaCl粉体，将两者均匀地溶解于蒸馏水中，后将液体烘干，得到NaOH‑NaCl混合物粉体；称取CaF2粉末，在CaF2粉末中添加所得的NaOH‑NaCl混合物粉体，充分研磨使两者混合均匀；将所得的混合粉末置于模具中，放入热压机中进行热压烧结，热压结束后获得致密的CaF2陶瓷；将获得的CaF2陶瓷烘干至恒重。本发明方法所得的微波陶瓷表现出优异的介电性能：相对密度为88％～96％，介电常数5.5
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114336028A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111656633.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于新复合陶瓷材料的卫星定位导航天线，包括介质基板、主辐射贴片、寄生贴片、馈电探针和导电接地板，所述介质基板贴附在导电接地板的上表面，所述主辐射贴片贴附在介质基板顶面，若干所述寄生贴片沿着主辐射贴片边缘处呈中心对称结构贴附在介质基板外表面，所述馈电探针的一端固定导电接地板的底部，且向上延申至介质基板的上表面，所述介质基板由LiMg0.9Zn0.06Ni0.04PO4‑xWt％TiO2陶瓷材料制成，其中x为质量百分含量，范围为15Wt％～19Wt％。采用了新型高品质的所述LiMg0.9Zn0.06Ni0.04PO4‑xWt％TiO2陶瓷材料的特征介电常数εr＝9～10.3，τf＝‑7ppm/℃～+4ppm/℃，Q×f＝53,000Ghz～68,000Ghz。该材料的应用使得信号传输速率增快，减少了微波系统能量损耗，减小了信号干扰，增强了天线的热稳定性能。
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公开(公告)号：CN114213125A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111641898.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的一种微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，能满足微波通讯系统中无源器件的需求。本发明的一种微波介质陶瓷的制备方法制备过程中采用价格相对较为低廉的氧化物粉末为原料，制备工艺为标准的固相反应法，制备过程中化学计量比控制精准，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一，无第二相存在。通过本发明制备方法制备出的NaNdMgWO6微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能。
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公开(公告)号：CN112500154B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011508582.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法：(1)将CaCO3和TiO2按CaTiO3化学计量比配料，球磨烘干，过筛得粉料；(2)将制得的粉料在高温下煅烧后，二次球磨并过筛得粉料；(3)将制得的粉料压制成生坯，在高温下烧结制得致密的CaTiO3陶瓷块体；(4)在LiF粉末中添加去离子水，研磨混合均匀；(5)将润湿的部分LiF粉末置于模具中，预压后加入CaTiO3陶瓷块体，后将剩余的LiF粉末加入所述模具中，预压后使LiF包覆CaTiO3陶瓷块体得到LiF‑CaTiO3陶瓷生坯；(6)将所述模具置于热压机中，使LiF‑CaTiO3陶瓷生坯在300‑600MPa压力与100‑200℃条件下冷烧结处理；冷烧结结束后获得初步致密化的陶瓷生坯；(7)将所得的陶瓷生坯进行热处理，得到具有核‑壳结构的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷。
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公开(公告)号：CN110194664B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910408225.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本声明公开一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料的成分为Y2O3、Dy2O3、Al2O3、MgO、SiO2，所述原料成分以Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化学计量比进行配比。制备过程主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、高温烧结。采用高温固相反应法，通过不同的烧结温度，制备一种微波性能良好可用于微波和毫米波通讯器件的微波介质陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN111908897A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010599308.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/04 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开MgO基微波陶瓷介质材料及其制备方法，该陶瓷介质材料化学计量比为：MgO+4mol％LiF+xCaTiO3或者MgO+4mol％LiF+xSrTiO3；本发明的技术方案，采用LiF降低MgO致密化烧结温度,节约能源消耗，降低生产成本，通过设定不同的烧结温度，能够得到微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。选用MTiO3(M＝Ca,Sr)系列温度系数调节剂加入MgO-LiF基陶瓷，使之实现温度系数可调,得到温度稳定性更好的微波介质陶瓷。
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