公开(公告)号：CN109964405A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780070878.4

申请日：2017-10-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  多井知义 ,  山寺乔纮 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  滑川政彦 ,  吉野隆史

IPC: H03H3/08 ,  C30B29/30 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。

公开(公告)号：CN103999366B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380003307.0

申请日：2013-11-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK陶瓷设备株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  多井知义 ,  岩崎康范 ,  山寺乔纮 ,  服部良祐 ,  铃木健吾

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H01L41/0838 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。

公开(公告)号：CN103947110A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201380003306.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK陶瓷设备株式会社

Inventor： 多井知义 ,  岩崎康范 ,  堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  服部良祐 ,  铃木健吾

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H01L41/0838 ,  H01L41/053 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。

公开(公告)号：CN119366110A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380033841.X

申请日：2023-04-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山寺乔纮 ,  窟裕二

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种复合基板，其能够有助于SAW滤波器的高性能化。本发明的实施方式所涉及的复合基板具备：支撑基板，其具有相互对置的上表面及下表面；压电层，其配置于所述支撑基板的所述上表面侧；以及中间层，其配置于所述支撑基板与所述压电层之间，在所述支撑基板的所述上表面侧的端部形成有结晶性比位于所述下表面侧的区域低的低结晶性区域。

公开(公告)号：CN118476156A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280085524.8

申请日：2022-08-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山寺乔纮 ,  饭田烈

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 提供一种耐久性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板的制造方法包括：在具有彼此对置的上表面和下表面且在所述下表面设置有电极的压电基板的所述下表面侧形成第一层；通过平坦化处理，使所述第一层的表面起伏超过2nm且为70nm以下；以及在形成有所述第一层的所述压电基板的所述第一层侧接合支撑基板。

公开(公告)号：CN113906674A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080040401.3

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

IPC: H03H3/08 ,  H01L21/02 ,  H03H9/25

Abstract: 在将压电性材料基板和包含水晶的支撑基板接合时，使接合强度提高，使得即便减薄压电性材料基板也不会剥离。复合基板7、7A具有：包含水晶的支撑基板4、压电性材料基板1、1A、支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间所存在的第一非晶质层5、以及支撑基板4与第一非晶质层5之间所存在的第二非晶质层11。第一非晶质层5含有10～30atom％的硅原子，第二非晶质层11含有1～10atom％的氟原子。

公开(公告)号：CN111492496A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880052342.4

申请日：2018-11-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H01L41/312 ,  H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H9/25

Abstract: 在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。

公开(公告)号：CN203851109U

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201320884800.5

申请日：2013-12-30

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK陶瓷设备株式会社

Inventor： 山寺乔纮 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐 ,  铃木健吾

IPC: H03H9/19

Abstract: 本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板（12）的定位平面（12a）的方向设为第1方向，将与第1方向垂直的方向设为第2方向时，相互的中心（12b）、（14b）在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板（12）的直径的0%且在1%以下，另一个为压电基板（12）的直径的0%以上1%以下。压电基板（12）和支撑基板（14）通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板（14）是硅制的，并且在方位（111）面上与压电基板（12）连接。