公开(公告)号：CN102044449A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN101937883A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010193932.4

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  栗田洋一郎

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/29 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括布线层；半导体芯片，该半导体芯片被布置在布线层上，其间具有间隙，通过连接部将半导体芯片电气地连接至布线层；第一密封体，该第一密封体被填充在布线层和半导体芯片之间的空间中；以及第二密封体，该第二密封体覆盖半导体芯片。第一密封体和第二密封体包括相同的有机树脂，有机树脂包括无机填料。第二密封体具有比第一密封体更大含量的无机填料。

公开(公告)号：CN101373720B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810215852.7

申请日：2006-07-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  栗田洋一郎

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K3/423 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/113 ,  H05K1/114 ,  H05K3/025 ,  H05K3/064 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0733 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a)，在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10)，在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70)，以及在除去支撑基片之后，对种子金属层(20a)进行图形化以形成互连(20)。

公开(公告)号：CN101388387B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810161058.9

申请日：2004-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  大内利枝佳 ,  宫崎崇志 ,  山田俊之

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子装置，包括：具有第一电极终端的第一半导体器件；第二半导体器件，所述第二半导体器件具有第二电极终端并且通过使用密封树脂层安装在第一半导体器件上，使得第一电极终端和第二电极终端穿入密封树脂层，以通过密封树脂层密封第一半导体器件和第二半导体器件之间的空间。密封树脂层的一部分被挤压在第一电极终端和各个第二电极终端之间的结合面里。